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광원;상기 광원의 저면에 위치되어, 상기 광원에 의한 광에 의해 발열되어 OLED형성을 위한 유기물질을 증발시켜 하방향으로 조사하는 광열변환층을 갖는 도너 기판; 및타겟 기판의 상부면에 형성될 화소들에 대응하는 화소 패턴이 형성되어 상기 타겟 기판의 상부에 안착되어 지지되는 증착마스크;를 포함하여 구성되고,상기 도너 기판은,투명기판;상기 투명기판 하부에 순차적으로 적층되는 제1금속층, 산화물층 및 제2금속층을 포함하는 광열변환층; 및상기 광열변환층의 하부에 적층되는 보호층;을 포함하고,상기 제1금속층이 상기 제2금속층보다 얇은 두께를 가지며,상기 제1금속층은,4 nm 내지 6 nm의 범위의 두께를 가지며,상기 산화물층은,80 nm 내지 100 nm의 범위의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 하향식 OLED 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 도너 기판의 저면에 형성되는 OLED 유기물질층;을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 하향식 OLED 증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제1금속층 및 제2금속층은,몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티탄(Ti), 주석(Sn), 텅스텐(W) 또는 이들 중 하나 이상의 금속을 포함하는 합금의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 층인 것을 특징으로 하는 하향식 OLED 증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 증착마스크는,저면에서 상부로 요입 형성되어 화소형성 대상 타겟 기판이 내부에 안착되는 기판안착홈의 둘레영역으로 형성되는 지지레그부; 및화소형성을 위한 유기물증기가 유입되도록 상부면에서 상기 기판안착홈까지 관통 형성되는 다수의 증착홀들로 형성되는 화소패턴;을 포함하는 기둥 형이고,상기 상부면의 상기 지지레그부와 결합되는 저면은 상기 기판안착홈 내측으로 일정 길이 연장되어 걸림턱으로 형성되는 것을 특징으로 하는 하향식 OLED 증착 장치
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제 7 항에 있어서, 상기 증착마스크는 SOI 웨이퍼로 제작되는 것을 특징으로 하는 하향식 OLED 증착 장치
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광원, 저면에 OLED 유기물질층이 형성된 광열변환층을 갖는 도너 기판 및 타겟 기판에 의해 지지되는 증착마스크가 하방향으로 순차적으로 배치 구성되는 하향식 OLED 증착장치에 의한 OLED 증착 방법에 있어서,상기 광원이 광을 상기 도너 기판에 조사하여 상기 도너 기판을 균일 발열시키는 단계;상기 도너 기판의 발열에 의해 상기 OLED 유기물질층이 증발되어 하방향으로 조사되는 단계; 및상기 수직 하방향으로 조사되는 OLED 유기물질이 상기 증착마스크의 화소 패턴 형성을 위한 증착홀들을 통과하여 상기 증착마스크의 저면 내부에 안착된 타겟 기판의 상부면에 증착되어 화소 패턴을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 도너 기판을 균일 발열시키는 단계는,투명기판; 상기 투명기판 하부에 순차적으로 적층되는 제1금속층, 산화물층 및 제2금속층을 포함하는 광열변환층; 및 상기 광열변환층의 하부에 적층되는 보호층;을 포함하고, 상기 제1금속층이 상기 제2금속층보다 얇은 두께를 가지도록 구성되며, 상기 제1금속층은 4 nm 내지 6 nm의 범위의 두께를 가지며, 상기 산화물층은 80 nm 내지 100 nm의 범위의 두께를 가지도록 구성된 상기 도너 기판에 광을 조사하여 상기 도너 기판을 균일 발열시키는 것을 특징으로 하는 하향식 OLED 증착 방법
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제 9 항에 있어서,상기 도너 기판을 균일 발열시키는 단계 이전에, 증착마스크의 처짐과 진동을 방지하기 위해 상기 타겟 기판이 상기 증착마스크의 기판안착홈에 삽입되도록 상기 타겟 기판의 상부면에 상기 증착마스크를 안착시키는 단계;를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 하향식 OLED 증착 방법
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제 9 항의 하향식 OLED 증착 방법에 의해 화소들이 증착 형성된 OLED 디스플레이 패널
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SOI(silicon on insulator) 기판 상에 화소증착홀패턴을 형성하는 화소증착홀패턴형성과정;상기 화소증착홀패턴이 형성된 면의 반대의 상기 SOI 기판의 면을 에칭하여 지지레그부를 형성하는 지지레그부 형성과정; 및상기 지지레그부의 내부에 위치하는 상기 SOI 기판의 상기 화소증착홀패턴의 화소증착홀 대응 위치의 금속산화물층을 제거하여 화소 패턴을 형성하는 화소패턴 형성과정;을 포함하고,상기 화소증착홀패턴형성과정은,상기 SOI 기판의 실리콘 층의 상부에 TEOS 층을 1㎛ 이하의 두께로 증착 형성하는 단계; 및리소그래피를 수행하여 상기 TEOS 층에 화소증착홀들의 형성을 위한 화소증착홀패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하향식 OLED 증착 장치의 증착마스크 제작 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 지지레그부 형성과정은,상기 화소증착홀패턴이 형성된 상기 SOI 기판의 면에 알루미늄 층을 증착시키는 단계;상기 화소증착홀패턴이 형성된 면의 반대측의 상기 SOI 기판의 반대면에 TEOS 층을 증착시키는 단계;리소그래피를 수행하여 상기 TEOS 층에 상기 지지레그부의 형성을 위한 패턴을 형성하는 단계; 및상기 지지레그부의 형성을 위한 패턴을 이용하여 이온에칭을 수행하여 기판 안착홈을 형성하는 것에 의해 지지레그부를 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하향식 OLED 증착 장치의 증착마스크 제작 방법
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제 14 항에 있어서, 상기 화소패턴 형성과정은,상기 화소증착홀패턴이 형성된 면의 알루미늄 층을 제거하는 단계; 및Si 깊은 반응성 이온 에칭을 수행하여 상기 화소증착홀패턴 하부에 위치하는 상기 SOI 기판의 실리콘 층을 제거하는 단계; 및상기 실리콘 층이 제거된 영역의 상기 SOI 기판의 금속산화물 절연층을 제거하여 상기 화소증착홀패턴에 대응하는 화소패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 하향식 OLED 증착장치의 증착마스크 제작 방법
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