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n-형 결정질 실리콘(c-Si)인 실리콘 기판,상기 실리콘 기판상에 마련되고 NiOx로 이루어진 촉매층,상기 실리콘 기판의 하부에 마련되고 LiFx, KFx, CsFx 중의 어느 하나를 포함하는 불화 금속층,상기 불화 금속층 하부에 마련되고, Al로 이루어진 금속층을 포함하고,상기 촉매층은 3~10㎚의 두께로 증착되고, X-선 광전자 분광법(XPS) 분석시, 530
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제1항에서,상기 불화 금속층은 이베퍼레이션법(evaporation), 스퍼터법(sputter) 또는 이온 플레이팅법(ion plating)에 의해 형상되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극
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제1항에서,상기 불화 금속층은 LiFx로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극
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제1항에서,상기 실리콘 기판의 상부는 나노 피라미드 구조로 형성되고,상기 촉매층은 상기 나노 피라미드 구조상에 마련된 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극
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제5항에서,상기 나노 피라미드 구조는 불규칙하게 형성된 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극
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(a) n-형 결정질 실리콘(c-Si)인 실리콘 기판을 마련하는 단계,(b) 상기 실리콘 기판상에 NiOx로 이루어진 촉매층을 형성하는 단계,(c) 상기 실리콘 기판의 하부에 LiFx, KFx, CsFx 중의 어느 하나를 포함하는 불화 금속층을 형성하는 단계,(d) 상기 불화 금속층 하부에 Al로 이루어진 금속층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 촉매층은 3~10㎚의 두께로 증착되고, X-선 광전자 분광법(XPS) 분석시, 530
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제10항에서,상기 단계 (c)에서 상기 불화 금속층은 이베퍼레이션법(evaporation), 스퍼터법(sputter) 또는 이온 플레이팅법(ion plating)에 의해 상기 실리콘 기판의 하부에 증착되는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제11항에서,상기 단계 (c)에서 상기 불화 금속층은 LiFx로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제13항에서,상기 단계 (a)에서 상기 실리콘 기판의 상부는 나노 피라미드 구조로 마련되고,상기 촉매층은 상기 나노 피라미드 구조상에 마련된 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제15항에서,상기 단계 (a)는 (a1) n-형 결정질 실리콘(c-Si) 기판을 마련하는 단계,(a2) 상기 단계 (a1)에서 마련된 기판을 나노 금속 입자들이 혼합되어 있는 용액에 디핑(dipping)하여 상기 나노 금속 입자를 상기 기판 상에 증착하는 단계,(a3) 제1 식각 용액을 사용하여 상기 단계 (a2)에 의해 나노 금속 입자가 증착된 부분에 나노 홀을 형성한 후, 상기 나노 금속 입자를 제거하는 단계,(a4) 제2 식각 용액을 사용하여 상기 단계 (a2)에 의해 형성된 나노 홀 주위에 마련된 수직 스템(stem)을 식각하여 피라미드 구조체를 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제17항에서,상기 단계 (a2)에서의 용액은 플루오르화수소(HF)와 질산은(AgNO3)의 혼합 용액이고, 상기 나노 금속 입자는 은(Ag) 입자이고, 입경은 5㎚~100㎚인 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제17항에서,상기 단계 (a4)에서의 상기 스템의 식각은 상기 제2 식각 용액인 수산화칼륨(KOH)에 상기 나노 홀이 형성된 기판을 디핑하여 실행하는 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제17항에서,상기 단계 (a3)에서의 나노 홀은 다수 개가 형성되고, 각각의 나노 홀의 깊이는 동일한 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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제17항에서,상기 단계 (a3)에서의 나노 홀은 다수 개가 형성되고, 각각의 나노 홀의 깊이는 서로 상이한 것을 특징으로 하는 광전기화학전지용 광전극의 제조방법
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전해질을 함유한 챔버,상기 전해질과 접촉하여 산화 반응으로 산소를 발생하고, n-형 결정질 실리콘(c-Si)인 실리콘 기판, 상기 실리콘 기판상에 마련되고 NiOx로 이루어진 촉매층, 상기 실리콘 기판의 하부에 마련되고 LiFx, KFx, CsFx 중의 어느 하나를 포함하는 불화 금속층, 상기 불화 금속층 하부에 마련되고, Al로 이루어진 금속층을 포함하는 광전극,상기 전해질과 접촉하여 환원 반응으로 수소를 발생하는 상대전극(counter electrode)을 포함하고,상기 촉매층은 3~10㎚의 두께로 증착되고, X-선 광전자 분광법(XPS) 분석시, 530
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제22항에서,상기 상대전극은 백금(Pt), 이리듐(Ir), 팔라듐(Pd), 탄탈륨(Ta) 중의 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전기화학전지
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제22항에서,상기 상대전극은 백금(Pt)으로 이루어지고,상기 불화 금속층은 LiFx로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전기화학전지
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