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광변조 소자

  • 기술번호 : KST2020004800
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 광변조 소자는 반사층, 상기 반사층 상에 형성된 유전체층, 상기 유전체층 상에 형성된 제 1 전극 및 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 형성된 광변조층을 포함하되, 상기 광변조층의 두께는 20nm 내지 100nm이다.
Int. CL G02B 5/32 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190058555 (2019.05.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0052207 (2020.05.14) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180135499   |   2018.11.06
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경희 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0510374-93
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2019-0730332-80
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0730331-34
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.12.23 수리 (Accepted) 9-1-2019-0059234-50
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0291860-15
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0612887-86
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.06.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0612888-21
9 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0711907-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반사층;상기 반사층 상의 제 1 전극 및 제 2 전극;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 광변조층을 포함하되;상기 광변조층의 두께는 40nm 내지 100nm이고,상기 광변조층은 동작 전압에 의해 상이 변화되는 부분과 상이 유지되는 부분을 포함하는 광변조 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반사층과 상기 제 1 전극 사이에 개재되는 유전체층을 더 포함하는 광변조 소자
3 3
제 2 항에 있어서,상기 유전체층은 TiO2, SiO2, Al2O3, AlN, HfO2, SiC 및 MgO 중 적어도 어느 하나를 포함하는 광변조 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 투명 전극 소재를 포함하는 광변조 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 투명 전극 소재는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 AZO(Aluminium-doped Zinc Oxide) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 광변조 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 광변조층은 저마늄-안티모니-텔루륨 합금을 포함하는 광변조 소자
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
반사층;상기 반사층 상의 제 1 전극 및 제 2 전극; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 광변조층을 포함하는 광변조 소자에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 적어도 어느 하나에 제 1 전압을 인가하여, 상기 광변조층의 일부의 상을 변화시키고, 상기 광변조층의 다른 일부의 상을 유지하는 것; 및상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중 적어도 어느 하나에 제 2 전압을 인가하여, 상기 광변조층의 상기 일부의 상을 다시 변화시키는 것을 포함하되,상기 광변조층의 두께는 40nm 내지 100nm이고,상기 광변조층의 상기 일부의 두께는 상기 제 1 전압 및 상기 제 2 전압의 크기 및 지속시간에 따라 결정되는 광변조 소자의 동작 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 제 1 전압의 크기는 상기 제 2 전압의 크기보다 크고,상기 제 1 전압의 지속시간은 상기 제 2 전압의 지속시간보다 짧은 광변조 소자의 동작 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 제 1 전압에 의해 전체가 결정질인 상기 광변조층의 상기 일부가 비결정질로 변화되는 광변조 소자의 동작 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 제 2 전압에 의해 비결정질로 변화된 상기 광변조층의 상기 일부가 다시 결정질로 변화되는 광변조 소자의 동작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 삼성디스플레이 범부처 Giga KOREA사업 모바일 완전입체 단말 및 콘텐츠 기술 개발