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소듐을 포함하는 제1 전극;상기 제1 전극과 이격되는 제2 전극; 및상기 제1 및 제2 전극들 사이에 제공되는 전해질층을 포함하되,상기 제2 전극은, 흑연층들, 및 상기 흑연층들을 서로 이격시키는 스페이서들을 포함하고,상기 스페이서들은 금속 산화물 또는 준금속 산화물을 포함하는 소듐 이온 전지
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제1 항에 있어서,인접하는 상기 흑연층들 사이의 이격 거리는 10Å 내지 400Å인 소듐 이온 전지
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제1 항에 있어서,상기 준금속 산화물은 붕소(B), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 비소(As), 안티몬(Sb), 텔루르(Te), 폴로늄(Po) 및 아스타틴(At) 중 적어도 하나를 포함하는 소듐 이온 전지
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제1 항에 있어서,상기 흑연층들은 그래핀을 포함하는 소듐 이온 전지
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제1 항에 있어서,상기 스페이서들의 직경은 5Å 내지 200Å인 소듐 이온 전지
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극은 음극 전극인 소듐 이온 전지
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7
복수개의 흑연층들을 형성하는 것;각각의 상기 흑연층들 상에 스페이서들을 형성하는 것; 및상기 흑연층들을 기판 상에 적층시키는 것을 포함하고,상기 흑연층들은 상기 기판 및 상기 흑연층들 사이의 정전기적 인력에 의해 상기 기판 상에 적층되는 소듐 이온 전지의 제조방법
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8
제7 항에 있어서,상기 흑연층들을 형성하는 것은,천연 흑연을 용액 내에서 박리하는 것을 포함하는 소듐 이온 전지의 제조방법
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9
제7 항에 있어서,상기 스페이서들을 형성하는 것은,상기 흑연층들 상에 예비 스페이서들을 형성하는 것; 및상기 예비 스페이서들을 산화시키는 것을 포함하는 소듐 이온 전지의 제조방법
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10
제9 항에 있어서,상기 흑연층들 상에 예비 스페이서들을 형성하는 것은,이온 전구체를 분해하여 양이온 및 음이온을 형성하는 것; 및상기 양이온이 상기 흑연층들 상에 달라 붙는 것을 포함하는 소듐 이온 전지의 제조방법
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제10 항에 있어서,상기 양이온은 상기 흑연층들의 (-)전하에 의해 상기 흑연층들에 달라 붙는 소듐 이온 전지의 제조방법
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제9 항에 있어서,상기 예비 스페이서들을 산화시키는 것은,상기 흑연층들을 건조시키는 것 또는 상기 흑연층들을 열처리하는 것을 포함하는 소듐 이온 전지의 제조방법
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제7 항에 있어서,상기 기판 및 상기 흑연층들 사이의 정전기적 인력은 상기 기판의 (+)전하 및 상기 흑연층들의 (-)전하에 의해 발생하는 소듐 이온 전지의 제조방법
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제7 항에 있어서,상기 기판은 표준 환원 전위가 -0
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제7 항에 있어서,상기 흑연층들을 기판 상에 적층시키는 것은,상기 흑연층들이 담긴 용액 내에 염산(HCl)을 넣는 것; 및상기 용액 내에 상기 기판을 넣는 것을 포함하는 소듐 이온 전지의 제조방법
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제7 항에 있어서,상기 스페이서들을 형성하는 것은,중성 용액 내에 상기 흑연층들 및 이온 전구체를 넣는 것을 포함하는 소듐 이온 전지의 제조방법
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제16 항에 있어서,상기 중성 용액 내에서, 상기 이온 전구체의 농도는 0
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