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대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020004878
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이온전도도를 높게 유지시킴과 동시에 대기 중의 안정성을 확보할 수 있는 황화물 고체전해질 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 황화리튬(lithium sulfide, Li2S), 오황화이인(phosphorus pentasulfide, P2S5), 할로겐화리튬(lithium halogenide, LiX(X=Cl, Br, I)) 및 인산리튬(lithium phosphate, Li3PO4)으로 이루어진 출발물질을 혼합하여 고체전해질원료를 제조하는 제1단계; 고체전해질원료를 불활성 분위기 하에서 열처리하여 산소(oxygen, O)가 도핑된 고체전해질을 제조하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다.
Int. CL H01M 10/0562 (2010.01.01) C01D 15/00 (2006.01.01)
CPC H01M 10/0562(2013.01) H01M 10/0562(2013.01) H01M 10/0562(2013.01)
출원번호/일자 1020180135867 (2018.11.07)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0052651 (2020.05.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이유진 경상남도 창원시 마산합포구
2 김병곤 경상남도 창원시 성산구
3 박금재 경상남도 창원시 진해구
4 박준우 경상남도 창원시 성산구
5 이상민 경상남도 창원시 진해구
6 이승미 경상남도 창원시 성산구
7 이원재 경상남도 김해시
8 하윤철 경상남도 김해시 팔판로 **, **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-1104566-84
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번호 청구항
1 1
황화리튬(lithium sulfide, Li2S), 오황화이인(phosphorus pentasulfide, P2S5), 할로겐화리튬(lithium halogenide, LiX(X=Cl, Br, I)) 및 인산리튬(lithium phosphate, Li3PO4)으로 이루어진 출발물질을 혼합하여 고체전해질원료를 제조하는 제1단계; 및상기 고체전해질원료를 불활성 분위기 하에서 열처리하여 산소(oxygen, O)가 도핑된 고체전해질을 제조하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제2단계에서의 고체전해질은,상기 인산리튬(Li3PO4)이 도핑된 LPSOBrI(Li2S-P2S5-LiBr-LiI)계 유리결정질 고체전해질인 것을 특징으로 하는 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 고체전해질은,상기 황화리튬(Li2S), 상기 오황화이인(P2S5) 및 상기 할로겐화리튬(LiX) 중에서 상기 할로겐화리튬(LiX)의 몰 비율이 30% 이하로 이루어지는 것을 특징으로 하는 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 고체전해질은,황(S)에 대하여 1~10%의 범위로 산소(O)가 도핑되는 것을 특징으로 하는 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 제2단계에서는,180~220℃ 온도 조건으로 열처리하는 것을 특징으로 하는 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질의 제조방법
6 6
황화물 고체전해질에 있어서,제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 대기 안정성이 향상된 황화물 고체전해질
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 나노기반 전기소재 부품 기술개발 고에너지밀도 리튬전고체전지용 고체전해질 기반 원천소재기술 개발