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금속 나노 구조체를 포함하는 C1 가스 농축 및 검출부;를 포함하는 C1 가스 검출 장치이고,상기 C1 가스 농축 및 검출부에 제공된 금속 나노 구조체가 부착된 C1 가스를 표면증강 라만 산란 신호로 검출하는, C1 가스 검출 장치
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제1항에 있어서,상기 금속 나노 구조체는 기판 및 상기 기판 상에 형성된 금속 나노 입자 층을 포함하는, C1 가스 검출 장치
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제1항에 있어서,상기 C1 가스는 CO, CO2, 및 CH4로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 분자를 포함하는, C1 가스 검출 장치
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제1항에 있어서,상기 C1 가스는 용존 C1 가스인, C1 가스 검출 장치
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제2항에 있어서,상기 기판은 투명 기판이고, 투명 기판은 고분자, 유리, 및 ITO로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 것이고, 상기 고분자는 PDMS, PMMA, 및 hydrogel로구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 것인, C1 가스 검출 장치
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제2항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 구, 막대, 타원체, 덴드리머, 사면체, 육면체, 팔면체, 2차원 사각형, 및 2차원 삼각형 형상으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 형상을 갖는, C1 가스 검출 장치
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제2항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 코어-껍질 구조, 합금 구조, 단순 응집 구조, 및 코어-행성 구조로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상의 형상을 갖는, C1 가스 검출 장치
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제2항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 제1금속 및 제2금속을 포함하는, C1 가스 검출 장치
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제8항에 있어서,상기 금속 나노 입자는 제1금속을 포함하는 코어 및 제2금속을 포함하는 쉘의 코어-쉘 구조를 가지고,상기 쉘의 두께는 0
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제8항에 있어서,상기 제1금속은 표면증강라만산란 신호를 증폭시키고, 상기 제2금속은 C1 가스를 화학적으로 흡착하는, C1 가스 검출 장치
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제8항에 있어서,상기 제1금속은 Au, Ag, Pd, Pt, Al, Cu, 및 Ni로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 둘 이상의 금속의 합금이고,상기 제2금속은 Au, Ag, Ru, Rb, Pd, Pt, Al, Cu, Co, Cr, Mn, Ni, 및 Fe로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 또는 둘 이상의 금속의 합금인, C1 가스 검출 장치
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제2항에 있어서,상기 금속 나노 입자의 직경은 5 - 200 nm인, C1 가스 검출 장치
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제2항에 있어서,상기 C1 가스 검출 장치는 광조사부;를 더 포함하며,상기 광조사부는 광원을 상기 금속 나노 구조체에 조사하는 것인, C1 가스 검출 장치
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제2항에 있어서,상기 금속 나노 입자 층은 C1 가스와 접촉하고, 상기 기판을 통하여 표면증강 라만 산란 신호를 검출하는, C1 가스 검출 장치
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C1 가스를 농축 및 검출하는 방법으로서,C1 가스를 금속 나노 구조체에 부착시켜 농축하는 단계;상기 금속 나노 구조체에 광원을 조사하여 방출되는 표면증강라만산란 신호로부터 C1 가스를 검출하는 단계;를 포함하는, C1 가스 검출 방법
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제15항에 있어서,상기 농축 단계는 화학적 흡착을 통해 C1 가스 분자를 선택적으로 상기 금속 나노 구조체의 표면에 부착시켜 농축하는 것인, C1 가스 검출 방법
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제15항에 있어서,금속 나노 구조체를 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 금속 나노 구조체를 형성하는 단계는,제1물질 및 제2물질의 계면에 금속 나노 입자 층을 형성하는 단계; 및상기 형성된 금속 나노입자 층을 기판에 전이하는 단계;를 포함하는, C1 가스 검출 방법
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제17항에 있어서,상기 금속 나노 입자 층을 형성하는 단계는,제1물질 및 제2물질의 액상-액상 계면에서 금속 나노 입자의 자가 조립을 통하여 금속 나노 입자 층을 형성하는 단계;상기 제2물질을 상변화 시켜 액상-기상 계면을 형성하는 단계;를 포함하는, C1 가스 검출 방법
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제14항에 있어서,상기 금속 나노 구조체와 화학적 흡착력이 작용하는 C1 가스가 함유된 용액에 금속 나노 구조체를 제공하는, C1 가스 검출 방법
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제 14 항에 있어서,상기 C1 가스를 검출하는 단계는 검출된 C1 가스의 농도를 정량화 하는 것을 포함하는, C1 가스 검출 방법
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