| 1 |
1
관통 실리콘 비아(TSV)의 초기 형상 정보, TSV에 충전된 구리의 결정립 초기 형상 정보, 열처리 조건 정보, 열팽창 예측정보를 입력받는 입력부; 및상기 입력부를 통해 입력된 TSV 초기 형상 정보, TSV에 충전된 구리의 결정립 초기 형상 정보, 열처리 조건 정보, 열팽창 예측정보를 입력받고, 상기 입력된 정보들을 이용하여 TSV 초기 형상을 정의하고, 상기 TSV의 구리 결정립 성장률을 계산하고, 열팽창 기반 구리 결정립 탄성변형을 계산하고, 구리 결정립 소성변형을 계산하고, 상기 계산된 정보들을 바탕으로 상기 TSV의 구리돌출량을 예측하는 구리 돌출량 예측부를 포함하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 구리 돌출량 예측부는 상기 정의된 TSV 초기 형상, 열처리 조건, 구리와 실리콘의 확산계수 비율 및 구리와 실리콘의 열팽창계수 비율을 이용하여 구리 결정립 성장률을 계산하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 구리 돌출량 예측부는 상기 계산된 구리 결정립 성장률, 열처리 조건, 구리와 실리콘의 확산계수 비율, 구리와 실리콘의 열팽창계수 비율, 구리와 실리콘의 탄성계수 비율, 실리콘의 강성행렬 및 구리 결정립 성장위치에 따른 변형벡터를 이용하여 열팽창 기반 구리 결정립 탄성변형을 계산하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 구리 돌출량 예측부는 상기 계산된 열팽창 기반 구리 결정립 탄성변형, 계산된 구리 결정립 성장률, 열처리 조건, 구리와 실리콘의 확산계수 비율, 구리와 실리콘의 열팽창계수 비율, 구리와 실리콘의 탄성계수 비율, 실리콘의 강성행렬 및 구리 결정립 성장위치에 따른 변형벡터를 이용하여 구리 결정립 소성변형을 계산하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 구리 돌출량 예측부는 계산된 구리 결정립 성장률, 계산된 열팽창 기반 구리 결정립 탄성변형 및 계산된 구리 결정립 소성변형을 근거로 TSV의 구리 돌출량을 예측하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 구리 돌출량 예측부의 제어신호에 따라 상기 예측된 구리 돌출량과 관련된 이미지를 출력하는 출력부를 포함하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 출력부는 상기 예측된 구리 돌출량을 바탕으로 가열시간에 따른 TSV의 열변형 및 변형 후의 형상을 이미지로 출력하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 출력부는 상기 예측된 구리 돌출량을 바탕으로 초기 형상 대비 구리 돌출량을 정량적으로 수치화하고 그래프로 출력하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 출력부는 상기 구리 돌출량 예측부의 제어신호에 따라 상기 예측된 구리 돌출량을 바탕으로 TSV의 열변형 및 변형 후의 형상 정보와 함께 열팽창 후 변형이 발생한 구리 영역에서 시간에 따른 결정립의 형상 정보를 포함하는 이미지를 출력하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측시스템
|
| 10 |
10
관통 실리콘 비아(TSV)의 초기 형상 정보, TSV에 충전된 구리의 결정립 초기 형상 정보, 열처리 조건 정보, 열팽창 예측정보를 입력받고,상기 입력된 정보들을 이용하여 TSV 초기 형상을 정의하고,상기 정의된 TSV 초기 형상, 열처리 조건, 구리와 실리콘의 확산계수 비율 및 구리와 실리콘의 열팽창계수 비율을 이용하여 구리 결정립 성장률을 계산하고,상기 계산된 구리 결정립 성장률, 열처리 조건, 구리와 실리콘의 확산계수 비율, 구리와 실리콘의 열팽창계수 비율, 구리와 실리콘의 탄성계수 비율, 실리콘의 강성행렬 및 구리 결정립 성장위치에 따른 변형벡터를 이용하여 열팽창 기반 구리 결정립 탄성변형을 계산하고,상기 계산된 열팽창 기반 구리 결정립 탄성변형, 계산된 구리 결정립 성장률, 열처리 조건, 구리와 실리콘의 확산계수 비율, 구리와 실리콘의 열팽창계수 비율, 구리와 실리콘의 탄성계수 비율, 실리콘의 강성행렬 및 구리 결정립 성장위치에 따른 변형벡터를 이용하여 구리 결정립 소성변형을 계산하고,상기 구리 돌출량 예측부는 계산된 구리 결정립 성장률, 계산된 열팽창 기반 구리 결정립 탄성변형 및 계산된 구리 결정립 소성변형을 근거로 TSV의 구리 돌출량을 예측하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 예측된 구리 돌출량을 근거로 하여 가열시간에 따른 TSV의 열변형 및 변형 후의 형상을 이미지로 출력하거나, 초기 형상 대비 구리 돌출량을 정량적으로 수치화하고 그래프로 출력하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,상기 상기 예측된 구리 돌출량을 바탕으로 TSV의 열변형 및 변형 후의 형상 정보와 함께 열팽창 후 변형이 발생한 구리 영역에서 시간에 따른 결정립의 형상 정보를 포함하는 이미지를 출력하는 칩 스태킹 공정의 관통 실리콘 비아 구리돌출량 예측방법
|
