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기판(810);상기 기판(810)의 상단면에 형성되는 에피층(521);상기 에피층(521)에 형성되는 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 접촉 영역(540); 및 상기 오믹 접촉 영역(540)에 증착되어 형성되는 오믹 금속층(550);을 포함하고,상기 오믹 접촉 영역(540)의 일부에 접촉 면적을 증가시키기 위해 요철 구조(530)가 형성되며,상기 에피층(521)은 이온주입에 의해 형성되며,상기 요철 구조(530)는 상기 오믹 접촉 영역(540)에 형성되는 게이트 전극(570)에 근접하게 전류가 흐르는 방향의 경계면을 따라 형성되며, 상기 요철 구조(530)는 식각에 의해 형성되며,상기 요철 구조(530) 의 길이(L)는 접촉저항을 낮추도록 상기 경계면에 미리 설정되는 전달 길이(transfer length)(Lt)보다 큰 것을 특징으로 하는 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소자(500)
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제 1 항에 있어서,상기 요철 구조는 접촉면적을 넓게 하기 위해 동일한 깊이의 굴곡에 대하여 너비가 좁을 수록 더 많은 수의 굴곡이 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 오믹 접촉 영역(540)은 도핑 영역(610)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 6 항에 있어서,상기 요철 구조는 상기 도핑 영역으로 도핑된 깊이보다 작은 깊이의 요철을 갖는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 식각은 플라즈마 식각만 이용하거나 플라즈마 식각 및 습식 식각 모두를 이용하여 형성되는 표면 굴곡인 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 에피층(521)의 재질은 AlGaN, GaN, 및 InAlN 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제 1 항에 있어서,상기 오믹 금속층(550)은 오믹 접촉을 형성하기 위해 증착후 열처리되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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제1 항에 있어서,상기 요철 구조(530)는 일부가 오믹 접촉 영역(540)의 측면을 돌출되게 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자
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(a) 상단면에 에피층(521)이 형성되는 기판(810)을 준비하는 단계;(b) 상기 에피층에 오믹(ohmic) 접촉을 위한 오믹 접촉 영역(540)을 형성하는 단계; (c) 상기 오믹 접촉 영역(540)의 일부에 접촉 면적을 증가시키기 위해 요철 구조(530)를 형성하는 단계; 및 (d) 상기 오믹 접촉 영역(540)에 오믹 금속층(550)을 증착 형성하는 단계;를 포함하며,상기 에피층(521)은 이온주입에 의해 형성되며, 상기 요철 구조(530)는 상기 오믹 접촉 영역(540)에 형성되는 게이트 전극(570)에 근접하게 전류가 흐르는 방향의 경계면을 따라 형성되며,상기 요철 구조(530)는 식각에 의해 형성되며,상기 요철 구조(530) 의 길이(L)는 접촉저항을 낮추도록 상기 경계면에 미리 설정되는 전달 길이(transfer length)(Lt)보다 큰 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 에피층(521)은 준비 전에 상기 기판(810)에 미리 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 제조 방법
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제 14 항에 있어서,상기 에피층(521)은 상기 기판(810)이 준비된 이후에 증착 형성되는 것을 특징으로 하는 HEMT 소자의 제조 방법
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