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루게이트 다공질 실리콘 양자점의 제조방법 및 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서

  • 기술번호 : KST2020005111
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 루게이트 다공질 실리콘 양자점의 활용으로 발광 강도가 증폭된 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 폭발물을 탐지하는 다공질 실리콘의 양자점의 전도대(conduction band)에 있는 전자(electron)가 폭발물의 최저공궤도(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)로 이동하면서 양자점의 특정 발광(light emission) 파장(wavelength)영역의 소광(photoluminescence quenching) 현상의 원리를 이용하여 양자점의 폭발물 탐지의 민감도(sensitivity)를 루게이트의 광학적인 특징을 사용하여 향상시킨 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/225 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) G01N 21/31 (2006.01.01) G01N 21/64 (2006.01.01)
CPC H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)H01L 21/2257(2013.01)
출원번호/일자 1020180122458 (2018.10.15)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0042189 (2020.04.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.15)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유해욱 대전광역시 유성구
2 손홍래 광주광역시 동구
3 이진규 광주광역시 동구
4 신보미나 광주광역시 동구
5 노영인 광주광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-1011101-19
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0901729-15
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2020.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-0150025-43
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0150024-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0328269-97
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0723003-23
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0723004-79
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0719109-61
9 [법정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-1245374-91
10 법정기간연장승인서
 2020.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0176307-15
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번호 청구항
1 1
불산(hydrofluoric acid, HF) 및 에탄올이 혼합된 식각 용액에 실리콘 웨이퍼를 침지하고, 일정 전류를 공급함으로서 실리콘 웨이퍼를 식각(etching)하여 폭발물 분자의 최저공궤도의 에너지보다 높은 전도대의 에너지를 가진 루게이트(rugate) 다공질 실리콘 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 루게이트 다공질 실리콘의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 식각은 불산(hydrofluoric acid, HF) 및 에탄올이 1:1의 부피비율로 혼합된 식각 용액에 실리콘 웨이퍼를 침지하고, 110mA+60
3 3
제1항에 있어서,상기 루게이트 다공질 실리콘 양자점을 형성하는 단계를 거친 루게이트 다공질 실리콘 양자점의 표면을 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 루게이트 다공질 실리콘의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 루게이트 다공질 실리콘 양자점을 형성하는 단계에서 형성된 루게이트 다공질 실리콘 양자점은 550nm 내지 670nm 범위 내에서 최대 반사 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 루게이트 다공질 실리콘의 제조방법
5 5
폭발물 분자의 최저공궤도의 에너지보다 높은 전도대의 에너지를 가진 양자점;상기 양자점의 발광 파장영역과 유사한 파장영역에서 반사 피크(reflection peak)를 가진 루게이트 다공질 실리콘;양자점의 전자를 여기 시키는 빛 에너지를 광 발광 고분자에게 공급하는 LED; 및양자점이 폭발물을 탐지 했을 때 양자점의 발광 강도 변화를 측정하는 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서
6 6
제5항에 있어서,상기 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서는 광을 조사할 경우 550nm 내지 670nm 범위 내에서 반치 폭 55nm 이하인 발광 파장 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서
7 7
제5항에 있어서,상기 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서는 550nm 내지 670nm 범위 내에서 최대 반사 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서
8 8
제5항에 있어서,상기 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서는 니트로 방향족(nitro aromatics), 니트로 아민계(nitro amines) 및 나이트레이트 에스테르계(nitrate ester)의 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물을 탐지하는 것을 특징으로 하는 루게이트 다공질 실리콘 양자점 기반 폭발물 탐지용 화학센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.