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(a) 실리콘 웨이퍼를 불산(hydrofluoric acid) 및 에탄올이 혼합된 제1 식각 용액에 상기 실리콘 웨이퍼를 침지하고, 120mA 내지 200mA의 전류 및 20mA 내지 100mA의 전류를 번갈아 가며 반복 공급하는 1차 식각(etching)을 수행하여, 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 특정 파장영역을 선택적으로 반사시키는 반사 파장 특성을 갖는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘을 형성하는 단계;(b) 상기 형성된 분포 브래그 반사 다공질 실리콘을 불산(hydrofluoric acid) 및 에탄올이 혼합된 제2 식각 용액에 상기 (a) 단계에서의 상기 분포 브래그 반사 다공질 실리콘을 표면에 형성한 상기 실리콘 웨이퍼를 침지하고, 10mA 내지 20mA의 전류를 공급하는 2차 식각(etching)을 수행하여, 분포 브래그 반사 다공질 실리콘을 필름 형태로 상기 실리콘 웨이퍼로부터 분리하여 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름을 형성하는 단계; 및(c) 상기 분리된 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름의 하부면을 통해 광 발광 고분자로 폴리실올(polysilole)을 포함한 용액인 광 발광 고분자 용액을 침투시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계는, 상기 광 발광 고분자 용액이 도포된 상기 실리콘 웨이퍼 위에 상기 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름을 얹어 놓고 상기 광 발광 고분자 용액이 마를 때까지 두어, 상기 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름의 하부면을 통해 상기 광 발광 고분자 용액을 침투시키는 것을 특징으로 하는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광 발광 고분자 용액은 헥사데칸(hexadecane) 및 클로로포름(chloroform)이 4:1의 부피비로 혼합된 용매에 상기 폴리실올이 혼합된 용액인 것을 특징으로 하는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 형성된 상기 분포 브래그 반사 다공질 실리콘은 500nm 내지 550nm 범위 내에서 최대 반사 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름의 제조 방법
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분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름의 하부면을 통해 폭발물 분자의 최저 공궤도의 에너지보다 높은 전도대의 에너지를 가진 광 발광 고분자로 폴리실올(polysilole)을 포함한 용액인 광 발광 고분자 용액을 침투시켜 형성된 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름;상기 광 발광 고분자의 전자를 여기시키는 빛 에너지를 상기 광 발광 고분자에게 공급하는 LED부; 및상기 폭발물 분자가 탐지될 때, 상기 광 발광 고분자의 발광 강도 변화를 측정하는 측정부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름 기반 폭발물 탐지용 화학센서
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제9항에 있어서,상기 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름은 광을 조사할 경우 500nm 내지 560nm 범위 내에서 반치폭 35nm 이하인 발광 파장 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름 기반 폭발물 탐지용 화학센서
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제9항에 있어서,상기 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름은 500nm 내지 560nm 범위 내에서 최대 반사 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름 기반 폭발물 탐지용 화학센서
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제9항에 있어서,상기 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름 기반 폭발물 탐지용 화학센서는 니트로 방향족(nitro aromatics), 니트로 아민계(nitro amines) 및 나이트레이트 에스테르계(nitrate ester)의 화합물 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 화합물을 상기 폭발물 분자로 탐지하는 것을 특징으로 하는 분포 브래그 반사 다공질 실리콘 필름 기반 폭발물 탐지용 화학센서
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