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반도체 온-칩 안테나

  • 기술번호 : KST2020005139
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 온-칩 안테나는, 반도체 기판; 상기 기판의 상면 상에 형성되는 최하층 금속층 - 상기 최하층 금속층은 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 제공함 -; 차상층 금속층에 형성되어 상기 결함 접지 구조(DGS) 위에 배치되는 방사 안테나 - 상기 방사 안테나는 급전 선로에 연결됨 -; 및 최상층 금속층에 형성되어 상기 방사 안테나 위에 배치되는 공진 방사체 - 상기 공진 방사체는 상기 방사 안테나로부터 전력을 공급 받아 전자기파를 방사함 - 를 포함한다.
Int. CL H01Q 1/22 (2006.01.01) H01Q 1/46 (2006.01.01) H01Q 9/04 (2018.01.01) H01Q 1/52 (2018.01.01)
CPC H01Q 1/2283(2013.01) H01Q 1/2283(2013.01) H01Q 1/2283(2013.01) H01Q 1/2283(2013.01)
출원번호/일자 1020190015157 (2019.02.08)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-2111143-0000 (2020.05.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.02.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신진우 대전광역시 유성구
2 정진호 서울특별시 마포구
3 김형진 서울특별시 마포구
4 최원석 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2019-0136452-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2019-0042447-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0694135-04
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-1218889-45
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-1336290-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0090458-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0090457-67
9 등록결정서
Decision to grant
2020.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0305402-91
10 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5010939-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 기판;상기 기판의 상면 상에 형성되는 최하층 금속층 - 상기 최하층 금속층은 결함 접지 구조(DGS; Defected Ground Structure)를 제공함 -;상기 최하층 금속층 상면 상의 차상층 금속층에 형성되어 상기 결함 접지 구조(DGS) 위에 배치되는 방사 안테나 - 상기 방사 안테나는 급전 선로에 결합됨 -;상기 차상층 금속층 상면 상의 최상층 금속층에 형성되어 상기 방사 안테나 위에 배치되는 공진 방사체 - 상기 공진 방사체는 상기 방사 안테나로부터 전력을 공급 받아 전자기파를 방사함 -;상기 최하층 금속층과 상기 차상층 금속층의 사이 및 상기 차상층 금속층과 상기 최상층 금속층 사이에 채워진 유전체층을 포함하고,상기 최하층 금속층에는 서로 분리된 복수의 직사각형 슬롯 또는 직사각형 개구가 형성되어 상기 결함 접지 구조(DGS)를 제공하며,상기 방사 안테나는 상기 급전 선로로부터 멀어질수록 넓어지는 V-모양 패치 안테나이고, 상기 급전 선로에서 전류가 공급되는 방향과 평행한 방향으로 상기 V-모양 패치 안테나에 서로 대칭인 위치에 2개의 슬롯이 형성되며, 상기 2개의 슬롯은 상기 급전 선로의 방향이 개방되고 상기 급전 선로의 반대 방향이 폐쇄된 형상인반도체 온-칩 안테나
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 기판의 하면 상에 형성되는 후면 금속층을 더 포함하는반도체 온-칩 안테나
4 4
삭제
5 5
삭제
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제 1 항에 있어서,상기 공진 방사체는 직사각형 형상을 가지며,상기 공진 방사체는 상기 방사 안테나와 상이한 공진 주파수를 가지는반도체 온-칩 안테나
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 직사각형 슬롯 또는 직사각형 개구는 상기 급전 선로로부터의 전류 방향과 평행한 방향으로 소정 간격으로 배치되는반도체 온-칩 안테나
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제 3 항에 있어서,상기 반도체 기판은,상기 공진 방사체로부터 방사된 전자기파와, 상기 공진 방사체로부터 방사된 전자기파가 상기 결함 접지 구조(DGS)를 통해 상기 후면 금속층에서 반사되어 상기 공진 방사체 방향으로 방사되는 전자기파가 서로 보강 간섭을 일으키도록 하는 두께를 가지는반도체 온-칩 안테나
9 9
제 1 항에 있어서,상기 반도체 온-칩 안테나는 반도체 집적회로 공정을 사용하여 제조되는 반도체 온-칩 안테나
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.