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바이패스 경로를 가지는 태양전지셀

  • 기술번호 : KST2020005255
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지셀이 음영지역에 놓이거나 파손에 의해 전력 생산 기능을 상실하여 인접된 태양전지셀에 의해 태양광 발전 전압과 반대 방향의 역방향 전압이 인가되는 경우 도통되어 인접된 태양전지셀의 출력 전력의 경로를 생성하도록 하는 바이패스 경로가 내부에 일체로 형성된 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀을 제공하는 것을 목적으로 하며, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, p형 반도체층과 n형 반도체층이 적층 형성된 광전변환층; 상기 광전변환층의 전면에 형성되는 반사방지층; 상기 반사방지층을 관통하여 상기 광전변환층과 접속되도록 상기 광전변환층의 전면에 이격되어 형성되는 다수의 전면전극들로 구성되는 전면전극층; 상기 광전변환층의 이면에 형성되는 이면전극층; 상기 전면전극들을 전기적으로 접속시키도록 상기 전면전극층의 전면에 형성되는 하나 이상의 제 1 버스바; 상기 이면전극층을 전기적으로 접속시키도록 상기 이면전극층의 이면에 형성되는 하나 이상의 제 2 버스바; 및 상기 광전변환층의 광발전 전력 출력 방향과 역방향을 가지는 바이패스 다이오드를 구비하여 상기 광전변환층을 관통하여 상기 제 1 버스바와 상기 제 2 버스바를 전기적으로 접속시키는 비아바이패스부;를 포함하여 구성되는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀을 제공한다.
Int. CL H01L 31/044 (2014.01.01) H01L 31/05 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/02 (2006.01.01)
CPC H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01) H01L 31/044(2013.01)
출원번호/일자 1020180124499 (2018.10.18)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0043734 (2020.04.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.18)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강기환 세종특별자치시 시청대로 ***
2 송희은 대전광역시 유성구
3 이정인 대전광역시 유성구
4 강민구 대전광역시 유성구
5 박성은 대전광역시 서구
6 송형준 경기도 오산시 경기대로 **-*
7 정태희 경기도 과천시 별양로 ***
8 임종록 경기도 의정부시 용민로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한상수 대한민국 서울시 서초구 효령로**길 ** *층 (브릿지웰빌딩)(에이치앤피국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-1028738-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2019-0009431-32
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0108857-29
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2020-0374577-10
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0374551-34
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0453875-44
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-0806148-14
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2020.07.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0806124-18
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0563108-56
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
p형 반도체층과 n형 반도체층이 적층 형성된 광전변환층;상기 광전변환층의 전면에 형성되는 반사방지층;상기 반사방지층을 관통하여 상기 광전변환층과 접속되도록 상기 광전변환층의 전면에 이격되어 형성되는 다수의 전면전극들로 구성되는 전면전극층;상기 광전변환층의 이면에 형성되는 이면전극층;상기 전면전극들을 전기적으로 접속시키도록 상기 전면전극층의 전면에 형성되는 하나 이상의 제 1 버스바;상기 이면전극층을 전기적으로 접속시키도록 상기 이면전극층의 이면에 형성되는 하나 이상의 제 2 버스바; 및상기 광전변환층의 광발전 전력 출력 방향과 역방향을 가지는 바이패스 다이오드를 구비하여 상기 광전변환층을 관통하여 상기 제 1 버스바와 상기 제 2 버스바를 전기적으로 접속시키는 비아 바이패스부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀
2 2
제 1항에 있어서, 상기 비아바이패스부는,상기 제 1 버스바와 상기 제 2 버스바를 서로 연결하도록 상기 광전변환층을 관통하여 형성되는 비아홀;상기 비아홀의 내측면에 형성되는 절연층; 및상기 절연층의 내부에 형성되어 양 단부가 상기 제 1 버스바와 상기 제 2 버스바에 각각 접속되고 상기 바이패스 다이오드에 의해 통전되는 비아도선;을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀
3 3
제 2항에 있어서, 상기 바이패스 다이오드는,상기 광전변환층의 발전 전력 출력 방향과 역방향 극성을 가지고 상기 제 1 버스바와 상기 비아도선의 접속부에 배치되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀
4 4
제 2항에 있어서, 상기 바이패스 다이오드는,상기 광전변환층의 발전 전력 출력 방향과 역방향 극성을 가지고 상기 제 2 버스바와 상기 비아도선의 접속부에 배치되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀
5 5
제 2항에 있어서, 상기 바이패스 다이오드는,상기 광전변환층의 발전 전력 출력 방향과 역방향 극성을 가지도록 상기 비아도선의 일 위치에서 비아도선을 양측으로 분할하여 연결하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀
6 6
제 1항의 상기 광전변환층의 출력 전력 방향과 역방향을 가지는 바이패스 다이오드를 구비한 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀들로 구성된 태양전지모듈
7 7
p형 반도체층과 n형 반도체층이 적층 형성된 광전변환층;상기 광전변환층의 전면에 형성되는 반사방지층;상기 반사방지층을 관통하여 상기 광전변환층과 접속되도록 상기 광전변환층의 전면에 이격되어 형성되는 다수의 전면전극들로 구성되는 전면전극층;상기 광전변환층의 이면에 형성되는 이면전극층;상기 전면전극들을 전기적으로 접속시키도록 상기 전면전극층의 전면에 형성되는 하나 이상의 제 1 버스바;상기 이면전극층을 전기적으로 접속시키도록 상기 이면전극층의 이면에 형성되는 하나 이상의 제 2 버스바; 및상기 제 1 버스바와 상기 제 2 버스바를 바이패스 다이오드와 바이패스도선을 통해 전기적으로 접속시키되, 상기 광전변환층의 전력 출력 방향의 반대 극성을 가지는 역방향 전압이 인가되는 경우 바이패스경로를 형성하는 도선바이패스부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀
8 8
제 7항에 있어서, 상기 바이패스 다이오드는,상기 광전변환층의 발전 전력 출력 방향과 역방향 극성을 가지고 상기 제 1 버스바와 상기 바이패스도선의 접속부에 배치되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀
9 9
제 7항에 있어서, 상기 바이패스 다이오드는,상기 광전변환층의 발전 전력 출력 방향과 역방향 극성을 가지고 상기 제 2 버스바와 상기 바이패스도선의 접속부에 배치되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀
10 10
제 7항의 상기 광전변환층의 출력 전력 방향과 역방향을 가지는 바이패스 다이오드와 상기 제 1 버스바와 상기 제 2 버스바를 연결하는 바이패스도선을 구비한 바이패스 경로를 가지는 태양전지셀들로 구성된 태양전지모듈
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국에너지기술연구원 주요사업(구, 기본사업) 세대 융합형 화합물/실리콘 다중접합 태양전지 기술