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다공성 구조를 가지는 고분자 지지체; 및상기 고분자 지지체에 함침된 이온 교환 고분자 전해질;을 포함하는 다가 이온 배제형 이온 교환막으로서,상기 이온 교환 고분자 전해질은 양이온 교환 고분자 전해질 및 음이온 교환 고분자 전해질을 포함하고,상기 고분자 지지체 중심부에 양이온 교환 고분자 전해질이 함침되고,상기 고분자 지지체 표면부에 음이온 교환 고분자 전해질이 함침된 것이고,상기 양이온 교환 고분자 전해질 및 음이온 교환 고분자 전해질의 함량 비율은 하기 식 1의 관계를 갖는 것이고,상기 고분자 지지체 두께 방향에 따라 표면으로부터 중심으로 갈수록, 상기 음이온 교환 고분자 전해질에 대한 양이온 교환 고분자 전해질의 함량 비율이 증가하는 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막:[식 1]A ≥ B상기 식 1에서, A는 상기 고분자 지지체의 중심부에서 음이온 교환 고분자 전해질에 대한 양이온 교환 고분자 전해질의 함량 비율이고,B는 상기 고분자 지지체의 표면부에서 음이온 교환 고분자 전해질에 대한 양이온 교환 고분자 전해질의 함량 비율이고,상기 중심부는 상기 고분자 지지체의 두께 100%에 대하여, 표면에서 중심 방향으로 20% 내지 80% 깊이까지의 영역이고,상기 표면부는 상기 고분자 지지체의 두께 100%에 대하여, 표면에서 중심 방향으로 0% 내지 20% 깊이까지의 영역임
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제1항에 있어서,상기 음이온 교환 고분자 전해질의 함량은 양이온 교환 고분자 전해질 함량 대비 10% 내지 40%인 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막
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제1항에 있어서,상기 양이온 교환 고분자 전해질은 음이온기를 가지는 술폰산 함유 전해질 모노머가 가교 중합된 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막
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제5항에 있어서,상기 음이온기를 가지는 술폰산 함유 전해질 모노머는 2-아크릴아미드-2-메틸프로판술포네이트 소듐(2-acrylamide-2-methylpropanesulfonate sodium), 비닐술포네이트 소듐(vinylsulfonate sodium), 비닐술포닉 애시드(vinylsulfonic acid), 알릴술포네이트 소듐(allyl sulfonate sodium), 2-메틸-2-프로펜-1-술포네이트 소듐(2-methyl-2-propene-1-sulfonate sodium), 3-술포프로필 아크릴레이트 소듐(3-sulfopropyl acrylate sodium) 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막
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제1항에 있어서,상기 음이온 교환 고분자 전해질은 양이온기를 가지는 4 가 암모늄염의 전해질 모노머가 가교 중합된 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막
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제7항에 있어서,상기 양이온기를 가지는 4 가 암모늄염의 전해질 모노머는 (3-아크릴아미도프로필)트리메틸암모늄 클로라이드[(3-acrylamidopropyl)trimethylammonium chloride], (비닐벤질)트리메틸암모늄 클로라이드[(vinylbenzyl)trimethylammonium chloride] 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막
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제1항에 있어서,상기 다공성 고분자 지지체는 공극 부피가 40% 내지 50%, 기공 크기가 0
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제1항에 있어서,상기 고분자 지지체 두께 대비 다가 이온 배제형 이온 교환막의 두께 비율은 1
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음이온기를 가지는 전해질 모노머, 가교제, 개시제 및 용매를 포함하는 양이온 교환 전구체 용액에 다공성 고분자 지지체를 함침시키는 단계;상기 다공성 고분자 지지체에 광을 조사하여 상기 양이온 교환 전구체 용액을 가교반응 시켜 상기 다공성 고분자 지지체 중심부에 양이온 교환 고분자 전해질을 형성시키는 단계;양이온기를 가지는 전해질 모노머, 가교제, 개시제 및 용매를 포함하는 음이온 교환 전구체 용액에 상기 양이온 교환 고분자 전해질이 내부에 형성된 다공성 고분자 지지체를 함침시키는 단계; 및상기 음이온 교환 전구체 용액에 함침된 다공성 고분자 지지체에 광을 조사하여 상기 음이온 교환 전구체 용액을 가교반응 시켜 상기 다공성 고분자 지지체 표면부에 음이온 교환 고분자 전해질을 형성시키는 단계;를 포함하는 다가 이온 배제형 이온 교환막의 제조방법으로서,상기 제조방법으로 제조된 다가 이온 배제형 이온 교환막은,상기 양이온 교환 고분자 전해질 및 음이온 교환 고분자 전해질의 함량 비율은 하기 식 1의 관계를 갖는 것이고,상기 고분자 지지체 두께 방향에 따라 표면으로부터 중심으로 갈수록, 상기 음이온 교환 고분자 전해질에 대한 양이온 교환 고분자 전해질의 함량 비율이 증가하는 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막의 제조방법:[식 1]A ≥ B상기 식 1에서, A는 상기 고분자 지지체의 중심부에서 음이온 교환 고분자 전해질에 대한 양이온 교환 고분자 전해질의 함량 비율이고,B는 상기 고분자 지지체의 표면부에서 음이온 교환 고분자 전해질에 대한 양이온 교환 고분자 전해질의 함량 비율이고,상기 중심부는 상기 고분자 지지체의 두께 100%에 대하여, 표면에서 중심 방향으로 20% 내지 80% 깊이까지의 영역이고,상기 표면부는 상기 고분자 지지체의 두께 100%에 대하여, 표면에서 중심 방향으로 0% 내지 20% 깊이까지의 영역임
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제11항에 있어서,상기 음이온기를 가지는 전해질 모노머는 술폰산 함유 전해질 모노머인 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 양이온기를 가지는 전해질 모노머는 4 가 암모늄염 전해질 모노머인 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 다공성 고분자 지지체는 상기 양이온 교환 전구체 용액에 함침되기 전에 계면활성제에 의해 친수화 처리되는 것인 다가 이온 배제형 이온 교환막의 제조방법
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