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피접합체 간 구리 대 구리(Cu-to-Cu) 본딩을 위한 구리 본딩 방법에 있어서,제1피접합체 상에 형성된 제1구리층과 제2피접합체 상에 형성된 제2구리층의 표면을 세척하고, 활성화시키는 플라즈마 처리 단계;상기 제1피접합체와 상기 제2피접합체를 CxHy(carbon hydroxyl, x, y는 자연수) 가스 분위기에 투입하여, 상기 제1구리층과 상기 제2구리층의 표면에 각각 산화방지층을 흡착(absorption)시키는 이머젼(immersion) 단계;상기 제1피접합체 상부에 접합시키고자 하는 상기 제2피접합체를 정렬하여 놓는 단계;상기 제1피접합체와 제2피접합체를 열압착하여, 상기 산화방지층을 탈착(desorption)시켜 상기 제1피접합체와 상기 제2피접합체 간의 접합부에서 구리 대 구리 본딩이 이루어지는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩 방법
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제 1항에 있어서, 상기 CxHy(carbon hydroxyl) 가스는,CH4, CH2, C2H2 및 C2H4 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩 방법
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제 1항에 있어서, 상기 플라즈마 처리 단계는,불활성기체를 이용한 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩 방법
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제 1항에 있어서, 상기 이머젼(immersion) 단계는,5~20℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩 방법
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제 1항에 있어서, 상기 구리 대 구리 본딩이 이루어지는 단계는, 50~100℃에서 상기 산화방지층이 탈착되면서 구리(제1구리층) 대 구리(제2구리층) 본딩이 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩 방법
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제 1항 내지 제 5항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 산화방지층은,상기 플라즈마 처리 단계 시에 플라즈마 처리 압력, 파워, 시간 중 어느 하나 이상의 공정 조건에 따라 구리 본딩에 필요한 산화방지층을 생성시키는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩 방법
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플라즈마 처리를 통해 제1피접합체 상에 형성된 제1구리층과 제2피접합체 상에 형성된 제2구리층의 표면을 세척하고 활성화시키며, 상기 제1피접합체와 상기 제2피접합체를 CxHy(carbon hydroxyl, x, y는 자연수) 가스 분위기에 투입하는 이머젼 공정을 통해 상기 제1구리층과 제2구리층의 표면에 각각 산화방지층을 흡착(absorption)시키고, 상기 제1피접합체 및 제2피접합체간 저온 열압착하여 상기 산화방지층을 탈착(desorption)시켜 구리 대 구리(Cu-to-Cu) 본딩이 이루어지는 접합체에 있어서,상기 접합체 간 접합부에 적어도 하나 이상의 구리 대 구리 접합 영역이 형성되고,상기 접합 영역 외에는 상기 산화방지층이 흡착된 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩이 이루어진 접합체
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제 7항에 있어서, 상기 CxHy(carbon hydroxyl) 가스는,CH4, CH2, C2H2 및 C2H4 중 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩이 이루어진 접합체
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제 7항에 있어서, 상기 이머젼(immersion) 공정은,5~20℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩이 이루어진 접합체
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제 7항에 있어서, 상기 플라즈마 처리는,불활성기체를 이용한 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩이 이루어진 접합체
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제 10항에 있어서, 상기 산화방지층은 50~100℃에서 탈착되는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩이 이루어진 접합체
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제 7항 내지 제 11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 산화방지층은,상기 플라즈마 처리 시에 플라즈마 처리 압력, 파워, 시간 중 어느 하나 이상의 공정 조건에 따라 구리 본딩에 필요한 산화방지층을 생성시키는 것을 특징으로 하는 저온 구리 본딩이 이루어진 접합체
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