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겔 고분자 전해질 및 이를 포함하는 전기화학 커패시터

  • 기술번호 : KST2020005414
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 의한 겔 고분자 전해질은 고율 수용력(rate capability)을 향상 및 높은 전압에서 수명특성을 향상시킬 수 있는 전해질 첨가제를 포함한다. 구체적으로 전해질 첨가제는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다. [화학식 1] (화학식 1에서, R1 내지 R4는 각각 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 5의 알킬기를 나타내고, n은 1 내지 13의 정수를 나타낸다.)
Int. CL H01G 11/56 (2013.01.01) H01M 10/0565 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190137709 (2019.10.31)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0049682 (2020.05.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180132310   |   2018.10.31
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정철수 서울특별시 광진구
2 박하빈 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2019-1117613-71
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.03.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0138235-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0648080-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-1237495-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1237496-19
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 전해질 첨가제;아세토나이트릴 용매; 및 전해질염을 포함하는 겔 고분자 전해질
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물인 겔 고분자 전해질
3 3
제1항에 있어서,화학식 1에서 상기 R1 및 R2는 각각 수소 또는 메틸기이고, 상기 R3 및 R4는 수소인 겔 고분자 전해질
4 4
제1항에 있어서,상기 n은 1 내지 4의 정수인 겔 고분자 전해질
5 5
제2항에 있어서,화학식 3에서 상기 R7 및 R8는 각각 수소 또는 메틸기이고, 상기 X는 -CH2- 인 겔 고분자 전해질
6 6
제1항에 있어서,상기 전해질 첨가제를 1 내지 8 중량% 포함하는 겔 고분자 전해질
7 7
제1항에 있어서,상기 전해질 첨가제는 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물의 중량 비율이 1:1 내지 3:1인 겔 고분자 전해질
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 겔 고분자 전해질을 포함하는 전기화학 커패시터
9 9
제8항에 있어서,양극 및 음극;상기 양극 및 상기 음극 사이에 개재된 상기 겔 고분자 전해질 및양극 및 음극 중 적어도 어느 한 전극의 표면에 형성된 고분자 막을 포함하는 전기화학 커패시터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.