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(a) 기판의 표면을 에칭온도에서 에칭하는 단계; (b) 상기 에칭된 기판 상에 GaCl을 스텝업 방식의 전처리로 흘려주어 버퍼층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 버퍼층이 형성된 기판을 N2 가스 분위기에 노출시킨 상태에서 350℃ ~ 600℃의 소스온도 및 400 ~ 700℃의 성장온도 조건으로 성장시켜 α-Ga2O3 박막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 (a) 단계에서, 상기 에칭온도는 300 ~ 700℃이고, 상기 (b) 단계에서, 상기 스텝업 전처리는 기판의 표면 특성을 개선하기 위해 상기 에칭 온도에서 성장온도까지 점진적으로 온도를 증가시키되, 상기 스텝업 전처리는 1 ~ 10℃/min의 속도로 온도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 에칭은 5 ~ 15분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계에서,상기 스텝업 전처리는 5 ~ 10분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 성장 시, HCl 1 ~ 50sccm 및 O2 100 ~ 1,000sccm 조건으로 공급하는 것을 특징으로 하는 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 성장은 5 ~ 15분 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 α-Ga2O3 박막은 500 ~ 5,000nm 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계에서, 상기 성장은 상압 조건의 압력으로 실시하는 것을 특징으로 하는 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계 이후, (d) 상기 α-Ga2O3 박막이 형성된 기판을 상온까지 냉각하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법
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제1항, 제3항, 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 스텝업 전처리 방식을 이용한 α-Ga2O3 박막 제조 방법에 의해 제조된 α-Ga2O3 박막
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