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Si3N4계 기판을 준비하는 단계;상기 Si3N4계 기판을 산(acid) 용액에 담그고 산(acid) 처리하여 가수분해 반응을 유도하면서 상기 Si3N4계 기판 표면에 하이드록시(-OH)기가 형성되게 하는 단계;용매에 그래핀옥사이드(Graphene oxide) 분말을 첨가하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계;상기 하이드록시(-OH)기가 형성된 Si3N4계 기판 표면에 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 코팅하고 건조하여 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 형성하는 단계; 및 상기 그래핀옥사이드가 코팅된 Si3N4계 기판을 열환원 처리하여 상기 그래핀옥사이드가 그래핀으로 변화되게 하여 그래핀이 코팅된 Si3N4계 기판을 수득하는 단계를 포함하며,상기 Si3N4계 기판을 준비하는 단계는,α-Si3N4 분말, MgO 분말 및 Y2O3 분말을 혼합하여 혼합 분말을 형성하는 단계;상기 혼합 분말을 진공 핫프레스(vacuum hot press) 장비의 챔버에 장입하는 단계;상기 챔버 내부의 불순물을 제거하기 위하여 N2 가스 퍼징(purging)을 실시하는 단계;진공 상태에서 상기 챔버 내로 N2 가스를 흘려주어 N2 가스 분위기를 조성하는 단계; 및상기 혼합 분말을 가압하면서 소결하여 Si3N4계 기판을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산 용액은 질산(HNO3) 및 인산(H3PO4)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 산(acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 산 처리는 60∼90℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열환원 처리는 비활성 가스 분위기에서 600∼900℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계는,상기 용매에 상기 그래핀옥사이드 분말을 첨가하는 단계;상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가된 용매를 교반하는 단계; 및상기 그래핀옥사이드 분말이 첨가되어 교반된 용매를 탈가스(degassing) 처리를 하여 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 수득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 그래핀옥사이드 분말은 상기 용매 1㎖에 0
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제1항에 있어서, 상기 용매는 물(H2O)을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 MgO 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0
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제1항에 있어서, 상기 Y2O3 분말은 상기 α-Si3N4 분말 100중량부에 대하여 0
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제1항에 있어서, 상기 혼합 분말은 5∼60 MPa의 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 소결은 N2 가스 분위기에서 1600∼2000 ℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 소결하여 수득한 Si3N4계 기판 표면의 불순물을 제거하기 위하여 그라인딩(grinding) 및 연마(polishing)를 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계에서 AlN 분말을 상기 용매에 더 혼합하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 그래핀옥사이드가 분산된 용액을 형성하는 단계에서 BN 분말을 상기 용매에 더 혼합하는 것을 특징으로 하는 질화규소 기판의 제조방법
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