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CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020005446
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CdSe 양자점의 표면에 ZnSe 나노로드가 이종접합되어 구성된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법을 개시한다. 이러한 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체는 그의 합성이 매우 까다로워 본 발명에서 제시하는 특정 조건하에서만 한정되어 성공적으로 합성이 가능함이 판명되었다. 이러한 특정 조건을 만족하지 않을 경우는 CdSe 양자점/ZnSe 나노로드의 헤테로 나노 구조체가 얻어지지 않는다. 따라서, 본 발명은 CdSe 양자점의 표면에 ZnSe 나노로드가 이종접합되어 구성된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법에 있어서, 카드뮴(Cd) 전구체와 셀레늄(Se) 전구체를 반응시켜 상기 CdSe 양자점을 합성하는 단계와; 아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체와 상기 CdSe 양자점을 알킬아민을 포함한 반응용액 내에서 혼합하되, 상기 아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체의 몰비를 1:2 ~ 2:1 범위로 조절하는 단계와; 상기 반응용액을 가열하여 상기 CdSe 양자점의 표면상에서 ZnSe 나노로드를 일차원적으로 성장시키는 단계를 포함하는 제조방법을 개시한다. 이때, 상기 알킬아민은 올레일아민일 수 있다. 또한, 상기 반응용액을 가열하는 온도는 180℃보다 크고 330℃ 미만의 범위로 조절할 수 있다.
Int. CL C09K 11/88 (2006.01.01) C01B 19/00 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C09K 11/883(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C09K 11/883(2013.01) C09K 11/883(2013.01)
출원번호/일자 1020180132663 (2018.11.01)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0050107 (2020.05.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 방지원 경상남도 진주
2 김강욱 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이두희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***(역삼동) 한신인터밸리** 빌딩 서관 ****호(이훈국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-1081671-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-2019-0042071-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0200683-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0498805-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2020-0498789-67
7 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0731392-47
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번호 청구항
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CdSe 양자점의 표면에 ZnSe 나노로드가 이종접합되어 구성된 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법에 있어서,카드뮴(Cd) 전구체와 셀레늄(Se) 전구체를 반응시켜 상기 CdSe 양자점을 합성하는 단계와;아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체와 상기 CdSe 양자점을 알킬아민을 포함한 반응용액 내에서 혼합하되, 상기 아연(Zn) 전구체 및 셀레늄(Se) 전구체의 몰비를 1:2 ~ 2:1 범위로 조절하는 단계와;상기 반응용액을 가열하여 상기 CdSe 양자점의 표면상에서 ZnSe 나노로드를 일차원적으로 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 알킬아민은 올레일아민인 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 반응용액을 가열하는 온도는 180℃보다 크고 330℃ 미만의 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ZnSe 나노로드를 일차원적으로 성장시키는 단계는 상기 ZnSe 나노로드의 길이를 조절함으로써 상기 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체에서 여기되는 정공의 분포 면적을 조절하고 상기 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 파장, 효율 및 광 강도 중의 하나 이상을 조절하는 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 ZnSe 나노로드의 길이는 10~60㎚의 범위 내에서 조절되는 것을 특징으로 하는 CdSe/ZnSe 양자점/나노로드 헤테로 나노 구조체의 제조방법
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