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주어진 성장 물질로 에피택시 성장하기 위한 기판의 소재를 탐색하는 장치에 있어서,상기 성장 물질의 대상 격자에 대한 정보를 입력 받는 입력부;상기 입력 받은 대상 격자에 대한 정보를 이용하여 후보 격자를 생성하는 후보 격자 생성부;상기 생성된 후보 격자의 복제 및 회전 동작을 통해 격자 공간의 해를 계산하는 격자 공간 계산부;상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하는 후보 기판 소재를 선별하는 후보 기판 소재 선별부; 및상기 선별된 후보 기판 소재의 표면 방향을 계산하는 표면 방향 계산부를 포함하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 1 항에서,상기 후보 격자 생성부는,상기 대상 격자의 제1 격자 벡터의 크기(L1), 제2 격자 벡터의 크기(L2) 및 제1 격자 벡터와 제2 격자 벡터 사이의 각도(θ)를 이용하여 상기 후보 격자를 생성하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 2 항에서,상기 후보 격자는,이차원의 프로토 타입(Proto type)으로 이루어지는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 3 항에서,상기 후보 격자 생성부는,이차원 사방정계 셀, 이차원 육방정계 셀, 이차원 정사각형 셀 및 이차원 단사정계 셀 중 적어도 하나의 격자 형태로 상기 후보 격자를 생성하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 4 항에서,상기 후보 격자 생성부는,상기 이차원 사방정계 셀(orthorhombic cell)의 경우, 상기 제1 격자 벡터의 크기(L1)와 상기 제2 격자 벡터의 크기(L2)의 격자 상수(lattice constant)를 가지는 후보 격자를 생성하고, 상기 이차원 육방정계 셀(hexagonal cell)의 경우, 상기 제1 격자 벡터의 크기(L1)와 상기 제2 격자 벡터의 크기(L2)의 격자 상수를 각각 가지는 복수 개의 후보 격자를 생성하고,상기 이차원 정사각형 셀(square cell)의 경우, 상기 제1 격자 벡터의 크기(L1)와 상기 제2 격자 벡터의 크기(L2)의 격자 상수를 각각 가지는 복수 개의 후보 격자를 생성하며,상기 이차원 단사정계 셀(monoclinic cell)의 경우, 상기 제1 격자 벡터의 크기(L1), 상기 제2 격자 벡터의 크기(L2) 및 상기 제1 격자 벡터와 제2 격자 벡터 사이의 각도(θ)를 사용하여 2차원 결정 구조를 가지는 후보 격자를 생성하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 2 항에서,상기 격자 공간 계산부는,상기 생성된 후보 격자와 상기 대상 격자를 각각 n배 및 m배로 복제하여 겹치는 동작을 이용하여 상기 격자 공간의 해를 계산하고,상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하는 n, m을 검출하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 6 항에서,상기 격자 공간 계산부는,상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하지 않는 후보 격자에 대하여 미리 정해진 각도로 회전하는 동작을 통해 상기 격자 공간의 해를 계산하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 7 항에서,상기 후보 기판 소재 선별부는,상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하는 n, m의 조합을 이용하여 상기 후보 기판 소재를 선별하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 1 항에서,상기 입력부는,허용 가능한 격자 불일치 한도 범위를 더 입력 받는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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제 9 항에서,상기 표면 방향 계산부는,상기 선별된 후보 기판 소재의 로우 인덱스 표면 벡터를 계산하여 상기 입력 받은 허용 가능한 격자 불일치 한도 범위 내에 있는 상기 후보 기판 소재의 표면 방향을 계산하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 장치
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주어진 성장 물질로 에피택시 성장하기 위한 기판의 소재를 탐색하는 방법에 있어서,상기 성장 물질의 대상 격자에 대한 정보를 입력 받는 단계;상기 입력 받은 대상 격자에 대한 정보를 이용하여 후보 격자를 생성하는 단계;상기 생성된 후보 격자의 복제 및 회전 동작을 통해 격자 공간의 해를 계산하는 단계;상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하는 후보 기판 소재를 선별하는 단계; 및상기 선별된 후보 기판 소재의 표면 방향을 계산하는 단계를 포함하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 11 항에서,상기 후보 격자 생성 단계는,상기 대상 격자의 제1 격자 벡터의 크기(L1), 제2 격자 벡터의 크기(L2) 및 제1 격자 벡터와 제2 격자 벡터 사이의 각도(θ)를 이용하여 상기 후보 격자를 생성하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 12 항에서,상기 후보 격자는,이차원의 프로토 타입(Proto type)으로 이루어지는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 13 항에서,상기 후보 격자 생성 단계는,이차원 사방정계 셀, 이차원 육방정계 셀, 이차원 정사각형 셀 및 이차원 단사정계 셀 중 적어도 하나의 격자 형태로 상기 후보 격자를 생성하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 14 항에서,상기 후보 격자 생성 단계는,상기 이차원 사방정계 셀(orthorhombic cell)의 경우, 상기 제1 격자 벡터의 크기(L1)와 상기 제2 격자 벡터의 크기(L2)의 격자 상수(lattice constant)를 가지는 후보 격자를 생성하고, 상기 이차원 육방정계 셀(hexagonal cell)의 경우, 상기 제1 격자 벡터의 크기(L1)와 상기 제2 격자 벡터의 크기(L2)의 격자 상수를 각각 가지는 복수 개의 후보 격자를 생성하고,상기 이차원 정사각형 셀(square cell)의 경우, 상기 제1 격자 벡터의 크기(L1)와 상기 제2 격자 벡터의 크기(L2)의 격자 상수를 각각 가지는 복수 개의 후보 격자를 생성하며,상기 이차원 단사정계 셀(monoclinic cell)의 경우, 상기 제1 격자 벡터의 크기(L1), 상기 제2 격자 벡터의 크기(L2) 및 상기 제1 격자 벡터와 제2 격자 벡터 사이의 각도(θ)를 사용하여 2차원 결정 구조를 가지는 후보 격자를 생성하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 12 항에서,상기 격자 공간 계산 단계는,상기 생성된 후보 격자와 상기 대상 격자를 각각 n배 및 m배로 복제하여 겹치는 동작을 이용하여 상기 격자 공간의 해를 계산하고,상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하는 n, m을 검출하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 16 항에서,상기 격자 공간 계산 단계는,상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하지 않는 후보 격자에 대하여 미리 정해진 각도로 회전하는 동작을 통해 상기 격자 공간의 해를 계산하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 17 항에서,상기 후보 기판 소재 선별 단계는,상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하는 n, m의 조합을 이용하여 상기 후보 기판 소재를 선별하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 11 항에서,상기 입력 단계는,허용 가능한 격자 불일치 한도 범위를 더 입력 받는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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제 19 항에서,상기 표면 방향 계산 단계는,상기 선별된 후보 기판 소재의 로우 인덱스 표면 벡터를 계산하여 상기 입력 받은 허용 가능한 격자 불일치 한도 범위 내에 있는 상기 후보 기판 소재의 표면 방향을 계산하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법
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주어진 성장 물질로 에피택시 성장하기 위한 기판의 소재를 탐색하는 방법을 구현하기 위한 프로그램을 기록한 기록매체에 있어서,상기 성장 물질의 대상 격자에 대한 정보를 입력 받는 단계;상기 입력 받은 대상 격자에 대한 정보를 이용하여 후보 격자를 생성하는 단계;상기 생성된 후보 격자의 복제 및 회전 동작을 통해 격자 공간의 해를 계산하는 단계;상기 계산된 격자 공간의 해를 만족하는 후보 기판 소재를 선별하는 단계; 및상기 선별된 후보 기판 소재의 표면 방향을 계산하는 단계를 포함하는 에피택시 성장을 위한 기판 소재의 탐색 방법을 구현하기 위한 프로그램을 기록한 기록매체
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