| 1 |
1
두 개의 금속 사이에 실리콘 매질이 형성되어 있으며 도파로를 형성하는 도파관;상기 도파관에 배치되어 있으며, 인가되는 전기적 신호에 따라 구동되어 전도성 반사벽으로 동작하여 입사되는 신호를 반사시키는 적어도 하나의 다이오드 어레이;상기 도파관에 연결되어 있으며, 상기 다이오드 어레이에 반사되는 신호 또는 입사되는 신호에 대응하는 빔을 방사하는 라디에이터; 및상기 도파관 내부로 전기적 신호를 공급하는 급전부를 포함하는 빔포밍 안테나
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 라디에이터는 상기 도파관에 상기 다이오드 어레이가 형성된 일측면에 연결된 제1 라디에이터 및 상기 도파관의 상기 일측면의 반대 방향인 타측면에 연결된 제2 라디에이터를 포함하며,상기 다이오드 어레이가 턴온되는 경우 상기 다이오드 어레이가 전도성 반사벽으로 동작하여, 입사되는 신호를 상기 제2 라디에이터의 방향으로 반사시키고, 상기 다이오드 어레이가 턴오프되는 경우 상기 입사되는 신호가 상기 다이오드 어레이를 통해 상기 제1 라디에이터로 진행하는, 빔포밍 안테나
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 다이오드 어레이는 복수의 수직 PIN 다이오드를 포함하며, 각각의 수직 PIN 다이오드가 선택적으로 구동되는, 빔포밍 안테나
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 다이오드 어레이의 수직 PIN 다이오드들이 포물선 형태로 배치되는, 빔포밍 안테나
|
| 5 |
5
제3항에 있어서,상기 수직 PIN 다이오드는, 실리콘 기판의 일측 표면에 형성되어 있는 P-유형 영역;상기 실리콘 기판의 타측 표면에 상기 P-유형 영역에 대향하는 위치에 형성되어 있는 N-유형 영역; 상기 P-유형 영역상에 형성되어 있으며 외부로부터의 전기 신호를 인가받는 컨택(contact) 금속;상기 N-유형 영역의 하부에 형성되어 있으며 외부로부터의 전기 신호를 인가받는 하부 금속; 및상기 실리콘 기판의 상부에 상기 하부 금속에 대향하는 위치에 형성되어 상기 하부 금속과 웨이브 가이드 층을 형성하며, 절연층에 의해 상기 컨택 금속과 분리되면서 상기 컨택 금속과 중첩되도록 형성되는, 상부 금속을 포함하는, 빔포밍 안테나
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 도파관의 일측면에 제1 다이오드 어레이가 형성되어 있고, 상기 제1 다이오드 어레이에 대향하는 타측면에 제2 다이오드 어레이가 형성되어 있으며, 그리고 상기 제1 다이오드 어레이 및 상기 제2 다이오드 어레이를 포함하는 한 쌍의 다이오드 어레이들이 적어도 하나 상기 도파관에 형성되는, 빔포밍 안테나
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 제1 다이오드 어레이 및 상기 제2 다이오드 어레이의 선택적 구동에 따라 상기 안테나로부터의 빔의 방향이 달라지는, 빔포밍 안테나
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제1 다이오드 어레이 및 상기 제2 다이오드 어레이 중 턴온되는 다이오드 어레이에 따라, 상기 턴온된 다이오드 어레이에 신호가 입사되는 방향의 반대 방향으로 빔이 방사되는, 빔포밍 안테나
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,상기 라디에이터는 상기 제1 다이오드 어레이가 형성된 상기 도파관의 일측면에 연결된 제1 라디에이터 및 상기 제2 다이오드 어레이가 형성된 상기 도파관의 타측면에 연결된 제2 라디에이터를 포함하는, 빔포밍 안테나
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 제1 다이오드 어레이가 턴온되고 상기 제2 다이오드 어레이가 턴오프되는 경우, 상기 제1 다이오드 어레이가 전도성 반사벽으로 동작하여 입사되는 신호를 상기 제2 라디에이터의 방향으로 반사시켜, 상기 제2 라디에이터를 통해 빔이 방사되고,상기 제1 다이오드 어레이가 턴오프되고 상기 제2 다이오드 어레이가 턴온되는 경우, 상기 제2 다이오드 어레이가 전도성 반사벽으로 동작하여 입사되는 신호를 상기 제1 라디에이터의 방향으로 반사시켜, 상기 제1 라디에이터를 통해 빔이 방사되며,상기 제1 다이오드 어레이가 턴오프되고 상기 제2 다이오드 어레이가 턴오프되는 경우, 상기 빔포밍 안테나는 유휴 모드로 동작하고,상기 제1 다이오드 어레이가 턴온되고 상기 제2 다이오드 어레이가 턴온되는 경우, 상기 제1 라디에이터 및 상기 제2 라디에이터를 통해 양방향으로 빔이 방사되는, 빔포밍 안테나
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 도파관과 상기 라디에이터 사이에 형성된 임피던스 매칭부; 및상기 다이오드 어레이로 바이어스 전압을 인가하는 바이어스부를 더 포함하고,상기 바이어스부는 상기 빔포밍 안테나가 형성되는 기판 상에서 상기 도파관을 기준으로 서로 대향하는 방향에서 상기 기판의 하단부에 각각 형성되어 있는 복수의 바이어스부를 포함하는, 빔포밍 안테나
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 임피던스 매칭부는 테이퍼형(tapered) 라인인 금속 패턴으로 이루어지는, 빔포밍 안테나
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 라디에이터는 미앤더(meander) 라인 형태의 금속 패턴으로 이루어지는, 빔포밍 안테나
|
| 14 |
14
제1항에 있어서,상기 도파관은 상기 빔포밍 안테나가 형성되는 기판 상에 형성된 금속 도체로 이루어진 마이크로 스트립 라인과, 상기 마이크로 스트립 라인과 실리콘 매질로 분리된 하단 금속 그리고 내부 도체를 포함하며,상기 내부 도체를 기준으로 일측에 하나의 다이오드 어레이가 형성되고, 상기 내부 도체를 기준으로 타측에 다른 다이오드 어레이가 형성되는, 빔포밍 안테나
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,동작 주파수 대역에 따라 상기 빔의 방사 각도가 변하는, 빔포밍 안테나
|
