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기판 상에 발수층을 형성하는 단계;상기 발수층 상에 다공성 박막을 형성하는 단계; 및상기 기판으로부터 물리적 수단 또는 상기 다공성 박막을 물에 침지하는 수단을 통해 상기 다공성 박막을 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 박리방법
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제1항에 있어서,상기 발수층은 아크릴 실리콘 화합물, 알킬 사슬 실리콘 화합물, 알킬 실리콘 화합물, 알킬 클로로실란계 화합물, 플루오르 화합물 및 알루미늄 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 다공성 박막의 박리방법
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제1항에 있어서,상기 발수층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 다공성 박막은 다공성층; 및상기 다공성층 상에 형성된 고밀도층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 박리방법
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제4항에 있어서,상기 다공성 박막은 상기 다공성층 및 상기 고밀도층이 반복하여 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 박리방법
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제4항에 있어서,상기 다공성층 또는 상기 고밀도층은 금(Au), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 니켈(Ni), 타이타늄(Ti), 아연(Zn), 납(Pb), 바나듐(V), 코발트(Co), 어븀(Er), 칼슘(Ca), 홀뮴(Ho), 사마륨(Sm), 스칸듐(Sc), 터븀(Tb), 몰리브덴(Mo) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 박리방법
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제4항에 있어서,상기 다공성층 또는 상기 고밀도층은 주석(Sn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 리튬(Li), 알루미늄(Al), 안티몬(Sb), 비스무스(Bi), 마그네슘(Mg), 규소(Si), 인듐(In), 납(Pb) 및 팔라듐(Pd)의 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 박리방법
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8
제4항에 있어서,상기 다공성층의 두께는 0
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제4항에 있어서,상기 고밀도층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 기판으로부터 물리적 수단을 통해 상기 다공성 박막을 박리하는 단계는, 정전기 제거 장치를 이용하여 상기 기판으로부터 상기 다공성 박막을 박리할 때 발생할 수 있는 정전기를 제거하면서 수행하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막의 박리방법
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청구항 1 내지 청구항 10중 어느 한 항의 박리방법에 따라 박리된 것을 특징으로 하는 다공성 박막
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