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광 특성이 조절 가능한 후면 에미터 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020005842
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 HIT(Heterostructure with intrinsic thin layer) 태양전지 수광부에 p-type 이미터가 아닌 n-type nc-SiO FSF (Front surface field)층을 사용하고 이미터를 후면에 적용한 후면 이미터 HIT 태양전지 제작 방법이다. 고효율의 후면 이미터 HIT 태양전지의 제작을 위하여 기존 사용되는 비정질 실리콘(a-Si) 도핑층으로 전기적 특성 및 광학적 특성이 좋은 nc-SiO 층을 FSF 층으로 적층 하는 태양전지 제작에 관한 것이다. n-type nc-SiOx:H은 고밴드갭 이면서, a-Si 보다 높은 전도도를 유지하며, refractive index 값을 1.5~3.5까지 조절이 가능한 물질로서 전도층 및 light reflection 이중 역할이 가능하다. 단락전류 상승에 의한 태양전지 변환효율의 상승을 기대할 수 있을 것이다.
Int. CL H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/068 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0376(2013.01) H01L 31/0376(2013.01) H01L 31/0376(2013.01) H01L 31/0376(2013.01) H01L 31/0376(2013.01)
출원번호/일자 1020180143225 (2018.11.20)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0058735 (2020.05.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 경기도 수원시 장안구
2 김상호 경기도 수원시 장안구
3 박진주 경기도 수원시 장안구
4 이선화 경기도 수원시 장안구
5 김영국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-1154119-05
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번호 청구항
1 1
결정질 실리콘 웨이퍼의 양면을 텍스처링하는 단계;상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 상면에 제 1 진성 비정질 실리콘층을 증착하는 단계;상기 제 1 진성 비정질 실리콘층 상에 제 1 도핑된 실리콘 옥사이드층을 증착하는 단계;상기 제 1 도핑된 실리콘 옥사이드층에 이산화탄소를 주입하여 굴절률을 조절하는 단계;상기 결정질 실리콘 웨이퍼의 하면에 제 2 진성 비정질 실리콘층을 증착하는 단계;상기 제 2 진성 비정질 실리콘층 상에 제 2 도핑된 실리콘 옥사이드층을 증착하는 단계;상기 제 2 도핑된 실리콘 옥사이드층에 이산화탄소를 주입하여 굴절률을 조절하는 단계;상기 제 1 도핑된 비정질 실리콘층 표면 및 상기 제 2 도핑된 비정질 실리콘층 표면에 각각 제 1 투명 전도막 및 제 2 투명 전도막을 증착하는 단계; 및상기 제 1 투명 전도막 및 상기 제 2 투명 전도막 상에 각각 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는,광 특성이 조절 가능한 후면 에미터 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 진성 비정질 실리콘층 및 상기 제 2 진성 비정질 실리콘층의 두께는 6 내지 10nm인 것을 특징으로 하는,광 특성이 조절 가능한 후면 에미터 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 결정질 실리콘층이 n 타입인 경우, 제 1 도핑된 실리콘 옥사이드층은 n 도핑된 실리콘 옥사이드층이고, 제 2 도핑된 실리콘 옥사이드층은 p 도핑된 실리콘 옥사이드층인,광 특성이 조절 가능한 후면 에미터 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 결정질 실리콘층이 p 타입인 경우, 제 1 도핑된 실리콘 옥사이드층은 p 도핑된 실리콘 옥사이드층이고, 제 2 도핑된 실리콘 옥사이드층은 n 도핑된 실리콘 옥사이드층인,광 특성이 조절 가능한 후면 에미터 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도핑된 실리콘 옥사이드층 및 상기 제 2 도핑된 실리콘 옥사이드층의 두께는 20 내지 40nm인 것을 특징으로 하는,광 특성이 조절 가능한 후면 에미터 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 이산화탄소의 주입에 의해 굴절률이 감소하여 반사율을 감소시킴으로써 광 특성이 향상되는,광 특성이 조절 가능한 후면 에미터 결정질 실리콘 태양전지의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 조절된 굴절률은 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 신재생에너지핵심기술개발 (조사분석사업명 : 신재생에너지핵심기술개발) 고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발
2 산업통상자원부 한국에너지기술연구원 신재생에너지핵심기술개발 (조사분석사업명 : 신재생에너지핵심기술개발) 태양광산업 원천기술 개발 및 중소·중견기업 경쟁력 제고를 위한 통합형기술개발 플랫폼 구축 및 운영