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하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나로 표시되는 전자화물 및 표면에 이차원 전자가스를 포함하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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제 1항에 있어서, 상기 전자화물은 단결정, 다결정 또는 박막인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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3
제 1항에 있어서, 상기 전자화물이 층상구조이고, 층간에 이차원으로 배열되어 있는 격자 간 전자를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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4
제 1항에 있어서, 상기 이차원 전자가스는 페르미 레벨(Fermi level) 근처에서 포물선 형태의 에너지 밴드를 갖는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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5
제 1항에 있어서,상기 이차원 전자가스의 전자 농도는 1010 cm-2 내지 1016 cm-2인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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6
제 1항에 있어서, 상기 이차원 전자가스가 저온의 불활성 가스 분위기 또는 고진공 분위기 하에서 존재하는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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7
제 6항에 있어서, 상기 저온이 1 K 내지 100 K인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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8
제 6항에 있어서, 상기 불활성 가스가 헬륨, 아르곤, 네온, 크립톤, 제논 및 질소 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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9
제 6항에 있어서,상기 고진공 상태는 10-5 Torr 내지 10-11 Torr의 진공도인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스 형성 전자화물
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10
(a) 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나로 표시되는 전자화물을 준비하는 단계; 및 (b) 저온의 불활성 가스 분위기 또는 고진공 분위기 하에서 상기 전자화물의 표면을 클리빙하는 단계;를 포함하는 이차원 전자가스의 형성 방법
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11
제 10항에 있어서, 상기 저온이 1 K 내지 100 K인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스의 형성 방법
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12
제 10항에 있어서,상기 불활성 가스가 헬륨, 아르곤, 네온, 크립톤, 제논 및 질소 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스의 형성 방법
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13
제 10항에 있어서,상기 고진공 상태는 10-5 Torr 내지 10-11 Torr의 진공도인 것을 특징으로 하는 이차원 전자가스의 형성 방법
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14
제 1항의 이차원 전자가스 형성 전자화물을 포함하는 전자소자
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제 1항의 이차원 전자가스 형성 전자화물을 포함하는 자성소자
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16
제 1항의 이차원 전자가스 형성 전자화물을 포함하는 광학소자
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