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하기 화학식 1또는 화학식 2로 표현되는 화합물003c#화학식 1003e#AZnSb (A= Li, Na)003c#화학식 2003e#KZnPn (Pn= As, Bi)
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제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 A의 종류에 따라 LiZnSb는 P63mc, NaZnSb 는 P4/nmm 공간군에 속하는 구조인 것을 특징으로 하는 이차원 화합물
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제 1항에 있어서
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제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화합물은 낮은 일함수를 가지는 것을 특징으로 하는 이차원 화합물
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Li, Na, K 중에서 선택되는 1종의 알칼리 금속, As, Sb, Bi에서 선택되는 1종의 15족 원소물질 및 Zn를 반응 용기에 삽입하는 제 1단계;상기 반응 용기에 삽입된 합성 원료를 용융-냉각을 통해 결정화 하는 제 2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 용융 단계는 650 내지 800 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 방법
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제 5항에 있어서,상기 냉각 단계는 상기 합성 원료를 서냉 또는 급냉을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 방법
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제 7항에 있어서,상기 서냉은 300 내지 500℃의 온도까지 시간당 0
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제 7항에 있어서,상기 급냉은 상기 서냉 조건보다 급속도로 냉각하여 다결정을 형성하는 것을 특징으로 하는 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 방법
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제 5항 내지 9항의 합성 방법 중 어느 한 항에 따른 합성 방법에 따라 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 제 3단계;상기 이차원 AZnSb 또는 KZnPn에서 A 또는 K를 제거하는 제 4단계를 포함하는 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 합성하는 방법
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제 10항에 있어서,상기 A 또는 K를 제거하는 단계는 유기용매, 물 또는 이들의 혼합물을 이용하여 결정 내의 A 또는 K 이온을 제거하는 것을 특징으로 하는 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 합성하는 방법
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제 11항에 있어서,상기 유기용매는 환상 카보네이트계 용매, 쇄상 카보네이트계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 니트릴계 용매, 아미드계 용매 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 합성하는 방법
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제 10항 내지 12항 중 한 항에 따른 합성 방법에 따라 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 합성하는 제 5단계;상기 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 박리하는 제 6단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnSb 또는 ZnPn나노시트 제조방법
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제 13항에 있어서,상기 박리는 초음파에 의한 에너지로 박리, 용매의 침입에 의한 박리, 용매와 Na가 형성하는 염 및 반응 기체에 의한 박리, Tape를 이용한 박리 및 접착성 표면을 가진 물질을 이용한 박리로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 공정을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnSb 또는 ZnPn나노시트 제조방법
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