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낮은 일함수를 가지는 신규 이차원 물질

  • 기술번호 : KST2020005932
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의해 AZnSb와 KZnPn 화합물의 낮은 일함수 특성이 발현되어 매우 큰 전자방출 효과를 나타낸다. 본 발명에서 제공하는 AZnSb와 KZnPn 화합물의 일함수는 2.16-3.4eV범위 내의 값을 가지며 이는 상용 전자 방출 소재인 Mo 및 카본의 4-5eV수준의 일함수와 비교하여 최대 50% 이상 낮은 특성으로, FED 및 형광관에 적용하면 기존 디바이스 구조의 변경 없이 낮은 구동 전압에서 큰 방출 전류를 얻을 수 있다. 본 발명에서 제공되는 AZnSb와 KZnPn 화합물을 전자방출 물질 제조방법을 사용함으로써, 단순한 열처리, 용융-응고방법으로 물질을 대량 제조할 수 있다. 본 발명에서 제공되는 전자방출 물질은, 예를 들면 제조가 용이하고 낮은 구동전압으로 전자를 방출할 수 있다. 따라서 동일한 인가전압 기준으로 상대적으로 큰 방출 전류를 형성하는 전자 이미터의 구현을 가능하게 하여 저전압 구동 FED, 형광관 및 조명장치에 적용될 수 있다.
Int. CL C22C 24/00 (2006.01.01) C22C 1/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190140685 (2019.11.06)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0060680 (2020.06.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180144309   |   2018.11.21
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.06)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성웅 서울특별시 서초구
2 송준성 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 노경규 대한민국 서울시 서초구 반포대로**길 ** 매강빌딩 *층(에이치앤에이치국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2019-1136887-53
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2019.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2019-1164233-15
3 보정요구서
Request for Amendment
2019.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2019-0181673-04
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1또는 화학식 2로 표현되는 화합물003c#화학식 1003e#AZnSb (A= Li, Na)003c#화학식 2003e#KZnPn (Pn= As, Bi)
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 A의 종류에 따라 LiZnSb는 P63mc, NaZnSb 는 P4/nmm 공간군에 속하는 구조인 것을 특징으로 하는 이차원 화합물
3 3
제 1항에 있어서
4 4
제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 화합물은 낮은 일함수를 가지는 것을 특징으로 하는 이차원 화합물
5 5
Li, Na, K 중에서 선택되는 1종의 알칼리 금속, As, Sb, Bi에서 선택되는 1종의 15족 원소물질 및 Zn를 반응 용기에 삽입하는 제 1단계;상기 반응 용기에 삽입된 합성 원료를 용융-냉각을 통해 결정화 하는 제 2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 용융 단계는 650 내지 800 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 방법
7 7
제 5항에 있어서,상기 냉각 단계는 상기 합성 원료를 서냉 또는 급냉을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 서냉은 300 내지 500℃의 온도까지 시간당 0
9 9
제 7항에 있어서,상기 급냉은 상기 서냉 조건보다 급속도로 냉각하여 다결정을 형성하는 것을 특징으로 하는 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 방법
10 10
제 5항 내지 9항의 합성 방법 중 어느 한 항에 따른 합성 방법에 따라 이차원 AZnSb 또는 KZnPn을 합성하는 제 3단계;상기 이차원 AZnSb 또는 KZnPn에서 A 또는 K를 제거하는 제 4단계를 포함하는 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 합성하는 방법
11 11
제 10항에 있어서,상기 A 또는 K를 제거하는 단계는 유기용매, 물 또는 이들의 혼합물을 이용하여 결정 내의 A 또는 K 이온을 제거하는 것을 특징으로 하는 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 합성하는 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 유기용매는 환상 카보네이트계 용매, 쇄상 카보네이트계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 니트릴계 용매, 아미드계 용매 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 합성하는 방법
13 13
제 10항 내지 12항 중 한 항에 따른 합성 방법에 따라 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 합성하는 제 5단계;상기 이차원 ZnSb 또는 ZnPn을 박리하는 제 6단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnSb 또는 ZnPn나노시트 제조방법
14 14
제 13항에 있어서,상기 박리는 초음파에 의한 에너지로 박리, 용매의 침입에 의한 박리, 용매와 Na가 형성하는 염 및 반응 기체에 의한 박리, Tape를 이용한 박리 및 접착성 표면을 가진 물질을 이용한 박리로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 공정을 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnSb 또는 ZnPn나노시트 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교 미래소재디스커버리사업 1단계 4/5 [EZ]전자화물 안정화 및 기능특성 극대화를 위한 소재 인자 제어능 한계 극복 공정 기술 개발