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하기 화학식 1로 표시되는 초전도체용 화합물
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제 1항에 있어서,상기 화합물은 ZnBi로 구성된 평면 벌집 층상형 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 초전도체용 화합물
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제 1항에 있어서,상기 화합물은 평면 벌집 형상의 ZnBi 층과 K 층이 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 초전도체용 화합물
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제 1항에 있어서,상기 화합물은 초전도성을 갖는 것을 특징으로 하는 초전도체용 화합물
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제 4항에 있어서,상기 화합물은 0
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제 5항에 있어서,상기 화합물은 자기장(Magnetic field)이 없을 때 0
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제 4항에 있어서,상기 화합물은 0
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8
(a) K, Zn 및 Bi를 포함하는 합성 원료를 반응 용기에 삽입하는 단계; 및(b) 상기 반응 용기에 삽입된 합성 원료를 용융-냉각을 통해 결정화 하여 결정화물을 제조하는 단계;를 포함하는 초전도체용 화합물을 합성하는 방법
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제 8항에 있어서, 상기 용융은 650~800℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 초전도체용 화합물을 합성하는 방법
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10
제 8항에 있어서,상기 냉각은 상기 용융된 합성 원료를 급냉 또는 서냉하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초전도체용 화합물을 합성하는 방법
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11
제 10항에 있어서,상기 서냉은 300-500℃의 온도까지 시간당 0
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