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다공성 탄소 기판;상기 탄소 기판 상에 형성된 구리 나노와이어; 및상기 구리 나노와이어 상에 도금된 니켈 텅스텐 합금층을 포함하는 수전해용 환원극
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제1항에 있어서, 상기 구리 나노와이어는 평균 직경이 40 nm 이상 100 nm 이하인 수전해용 환원극
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제1항에 있어서, 상기 니켈 텅스텐 합금층은 NixW1-x(0
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제1항에 있어서,상기 니켈 텅스텐 합금층은 두께가 5 nm 이상 200 nm 이하인 수전해용 환원극
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제1항에 있어서,상기 다공성 탄소 기판은 카본 파우더, 카본 페이퍼, 카본 펠트, 카본 클로스 및 그라파이트 펠트 중에서 선택된 1종 이상인 수전해용 환원극
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다공성 탄소 기판 상에 구리 나노와이어를 형성하는 단계;니켈 전구체 및 텅스텐 전구체를 포함하는 니켈 텅스텐 합금 도금 용액을 준비하는 단계;상기 니켈 텅스텐 합금 도금 용액에 상기 구리 나노와이어가 형성된 다공성 탄소 기판을 포함하는 작업 전극, 상대 전극 및 기준 전극을 위치시키는 단계;제1 전압을 인가하여 상기 구리 나노와이어 상에 니켈 텅스텐 합금을 도금하는 단계;를 포함하는 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 수전해용 환원극 제조방법
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제6항에 있어서,상기 니켈 전구체는 황산니켈(nickel sulfate, NiSO4), 황산니켈육수화물(nickel sulfate hexahydrate, NiSO4·6H2O), 질산니켈(nickel nitrate, Ni(NO3)2), 염화니켈(nickel chloride, NiCl2), 브롬화니켈(nickel bromide, NiBr2), 불화니켈(nickel fluoride, NiF2), 설파민산니켈(nickel sulfamate, Ni(NH2SO3)2) 및 황산니켈암모늄(ammonium nickel sulfate, (NH4)2Ni(SO4)2) 중에서 선택된 1종 이상인 수전해용 환원극 제조방법
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제6항에 있어서,상기 텅스텐 전구체는 텅스텐산나트륨이수화물(sodium tungstate dihydrate, Na2WO4·2H2O), 텅스텐산암모늄(ammonium tungstate) 및 텅스텐염화물(tungsten chloride) 중에서 선택된 1종 이상인 수전해용 환원극 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제1 전압은 - 2
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제6항에 있어서,상기 다공성 탄소 기판 상에 구리 나노와이어를 형성하는 단계는구리 전구체를 포함하는 구리 나노와이어 도금 용액을 준비하는 단계;상기 구리 나노와이어 도금 용액에, 다공성 탄소 기판을 포함하는 작업 전극, 상대 전극 및 기준 전극을 위치시키는 단계;제2 전압을 인가하여 상기 다공성 탄소 기판 상에 구리를 도금하는 단계;상기 도금된 구리를 산화시켜 구리 수산화물 나노와이어를 형성하는 단계; 및상기 구리 수산화물 나노와이어를 환원시키는 단계를 포함하는 수전해용 환원극 제조방법
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제10항에 있어서,상기 제2 전압은 - 1
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제10항에 있어서,상기 구리 전구체는 황산구리(copper sulfate, CuSO4), 황산구리오수화물(copper sulfate pentahydrate, CuSO4·5H2O), 질산구리(copper nitrate, Cu(NO3)2), 염화제이구리(copper chloride, CuCl2), 브롬화제이구리(copper bromide, CuBr2), 불화구리(copper fluoride, CuF2) 및 아세트산구리(copper acetate, Cu(CH3COO)2)) 중에서 선택된 1종 이상인 수전해용 환원극 제조방법
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