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실리콘 기반의 양자 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020006103
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 기반의 양자 소자 제조 방법은 기판 상에 나노 소자들을 포함하는 나노 소자 영역을 형성 하는 것, 상기 기판 내에 적어도 하나의 큐비트(qubit)를 형성하는 것, 상기 기판 상에 상기 나노 소자들을 덮는 절연막을 형성하는 것, 상기 절연막 상에 금속막을 형성하는 것, 및 상기 금속막을 패터닝 하여 상기 나노 소자들을 둘러싸는 외부 접속 영역들 및 금속 배선들을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상기 나노소자 영역은 평면적 관점에서 상기 큐비트와 중첩되고, 상기 금속 배선들은 수 내지 수백 마이크로미터의 패턴 폭을 가지고, 상기 금속 배선들 각각은 상기 나노 소자들과 상기 외부 접속 영역들을 전기적으로 연결될 수 있다.
Int. CL H01L 29/12 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01)
CPC H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01) H01L 29/122(2013.01)
출원번호/일자 1020180147866 (2018.11.26)
출원인 한국전자통신연구원, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0062472 (2020.06.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대전시 유성구
2 김종배 대전광역시 유성구
3 김도헌 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-1179638-19
2 보정요구서
Request for Amendment		 2018.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0185282-14
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-1310370-64
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 나노 소자들을 포함하는 나노 소자 영역을 형성 하는 것;상기 기판 내에 적어도 하나의 큐비트(qubit)를 형성하는 것;상기 기판 상에 상기 나노 소자들을 덮는 절연막을 형성하는 것;상기 절연막 상에 금속막을 형성하는 것; 및상기 금속막을 패터닝하여 상기 나노 소자들을 둘러싸는 외부 접속 영역들 및 금속 배선들을 형성하는 것을 포함하되,상기 나노소자 영역은 평면적 관점에서 상기 큐비트와 중첩되고,상기 금속 배선들은 수 내지 수백 마이크로미터의 패턴 폭을 가지고,상기 금속 배선들 각각은 상기 나노 소자들과 상기 외부 접속 영역들을 전기적으로 연결하는 실리콘 기반의 양자 소자 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원(ETRI) ETRI연구개발지원사업 양자 광집적회로 원천기술 연구