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이리듐 산화물 입자 및 이온교환 수지를 포함하고,상기 이리듐 산화물 입자는 입도(size)가 25 내지 95nm이고, BET 비표면적이 1 내지 10m2/g인 것인 애노드
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제1항에 있어서,상기 이리듐 산화물 입자가 비다공성(non-porous)인 것을 특징으로 하는 애노드
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제2항에 있어서,상기 이리듐 산화물 입자의 입도(size)가 30 내지 80nm인 것을 특징으로 하는 애노드
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제3항에 있어서,상기 이리듐 산화물 입자의 BET 비표면적이 3 내지 5m2/g인 것을 특징으로 하는 애노드
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제2항에 있어서,상기 애노드가 서로 분리되어 존재하는 상기 이리듐 산화물 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 애노드
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제1항에 있어서,상기 이리듐 산화물이 상기 이온교환 수지에 담지된 것을 특징으로 하는 애노드
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제1항에 있어서,상기 애노드가 상기 이리듐 산화물 100중량부에 대해서 상기 이온교환 수지 1 내지 10 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 애노드
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제7항에 있어서,상기 이온교환 수지가 이오노머(ionomer)를 포함하는 것을 특징으로 하는 애노드
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제8항에 있어서,상기 이오노머가 설포닐기(-SO3H)를 갖는 퍼플루오리네이티드 수지(perfluorinated resin)를 포함하는 것을 특징으로 하는 애노드
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고분자 전해질 막;상기 고분자 전해질 막의 일면 상에 위치하는 애노드; 및상기 고분자 전해질 막의 타면 상에 위치하는 캐소드;를 포함하고,상기 애노드는 이리듐 산화물 입자 및 이온교환 수지를 포함하고,상기 이리듐 산화물 입자는 입도(size)가 25 내지 95nm이고, BET 비표면적이 1 내지 10m2/g인 것인 막전극 접합체
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제10항에 있어서,상기 고분자 전해질 막이 이온교환 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 막전극 접합체
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제11항에 있어서,상기 이온교환 수지가 이오노머를 포함하고,상기 이오노머가 설포닐기(-SO3H)를 갖는 퍼플루오리네이티드 수지(perfluorinated resin)를 포함하는 것을 특징으로 하는 막전극 접합체
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13
제10항에 있어서,상기 고분자 전해질 막의 두께가 20 내지 300μm인 것을 특징으로 하는 막전극 접합체
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제10항에 있어서,상기 애노드 로딩량이 0
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제10항에 따른 막전극 접합체를 포함하는 수전해 소자
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(a) 이리듐 산화물 입자 및 이온교환 수지를 포함하는 애노드 슬러리를 준비하는 단계;(b) 상기 애노드 슬러리를 제1 기판 상에 코팅하고 건조하여 애노드/제1 기판를 제조하는 단계;(c) 탄소물질에 담지된 백금 (Pt/C) 및 이온교환 수지를 포함하는 캐소드 슬러리를 준비하는 단계;(d) 상기 캐소드 슬러리를 제2 기판에 코팅하고 건조하여 캐소드/제2 기판을 제조하는 단계;(e) 고분자 전해질 막의 일면에 상기 애노드/제1 기판의 애노드를 접하게 하고, 상기 고분자 전해질 막의 타면에 상기 캐소드/제2 기판의 캐소드를 접하게 하고 상기 애노드와 상기 캐소드를 상기 고분자 전해질의 일면 및 타면에 각각 전사하여 제1 기판/애노드/고분자 전해질 막/캐소드/제2 기판을 제조하는 단계; 및(f) 상기 제1 기판/애노드/고분자 전해질 막/캐소드/제2 기판에서 제1 기판 및 제2 기판을 각각 제거하여 애노드/고분자 전해질 막/캐소드를 포함하는 막전극 접합체를 제조하는 단계;를 포함하는 막전극 접합체의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 단계 (e)의 전사가 고분자 전해질 막의 일면에 상기 애노드/제1 기판의 애노드를 접하게 하고, 상기 고분자 전해질 막의 타면에 상기 캐소드/제2 기판의 캐소드를 접하게 하고 핫 프레스 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 막전극 접합체의 제조방법
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