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반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020006430
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제 1 기판에 복수개의 비아홀들을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판의 상부면에 분리층을 형성하는 단계, 상기 분리층의 상부면에 제 1 에피층 및 제 2 에피층을 성장시키는 단계, 상기 제 2 에피층의 상부면에 트랜지스터 소자들을 형성하는 단계, 상기 제 1 기판의 상기 비아홀들을 통해 용해액을 제공하여 상기 분리층을 용해시킴으로써 상기 제 1 기판을 분리시키는 단계, 및 상기 제 1 에피층의 하부면에 제 2 기판을 접합하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/033 (2006.01.01) H01L 21/288 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190042098 (2019.04.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0067712 (2020.06.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180154813   |   2018.12.04
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조규준 대전광역시 유성구
2 민병규 세종특별자치시
3 배성범 대전시 유성구
4 윤형섭 대전광역시 유성구
5 장성재 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2019-0368372-58
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번호 청구항
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제 1 기판에 복수개의 비아홀들을 형성하는 단계;상기 제 1 기판의 상부면에 분리층을 형성하는 단계;상기 분리층의 상부면에 제 1 에피층 및 제 2 에피층을 성장시키는 단계;상기 제 2 에피층의 상부면에 트랜지스터 소자들을 형성하는 단계;상기 제 1 기판의 상기 비아홀들을 통해 용해액을 제공하여 상기 분리층을 용해시킴으로써 상기 제 1 기판을 분리시키는 단계; 및상기 제 1 에피층의 하부면에 제 2 기판을 접합하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전자통신연구원(ETRI) 정부출연금사업(기관고유사업) 질화붕소 분리층과 소자 전사 기술을 이용한 다목적 초고주파 소자 개발