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복수 개의 광 수용기 소자를 포함하는 다이나믹 비전 센서에 있어서,상기 복수 개의 광 수용기 소자 각각에 적응형 뉴런 회로가 연결되고,상기 적응형 뉴런 회로는 상기 광 수용기 소자로부터 들어오는 입력전압(자극)에 대하여 신경 적응이 일어나면서 순차 입력되는 자극에 따라 출력 펄스의 발화 빈도가 달라지도록 구성되되, 상기 광 수용기 소자로부터 일정한 입력전압(자극)이 계속 들어올 경우에는 시간에 따라 점점 느려지게 발화되고, 이전 입력전압보다 낮을 경우에는 발화되지 않고 높을 경우 발화되도록 구성된 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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제 1 항에 있어서,상기 적응형 뉴런 회로의 출력단은 뉴럴 네트워크 시스템의 입력단에 연결된 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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제 1 항에 있어서,상기 적응형 뉴런 회로는 상기 출력 펄스의 개수를 상기 광 수용기 소자에 대응하는 픽셀 값으로 재구성하여 출력하도록 구성된 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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복수 개의 광 수용기 소자를 포함하는 다이나믹 비전 센서에 있어서,상기 복수 개의 광 수용기 소자 각각에 적응형 뉴런 회로가 연결되고,상기 적응형 뉴런 회로는 상기 광 수용기 소자로부터 들어오는 입력전압(자극)에 대하여 신경 적응이 일어나면서 순차 입력되는 자극에 따라 출력 펄스의 발화 빈도가 달라지도록 구성되되,상기 입력전압 Vin이 인가되는 전압 입력부;상기 전압 입력부의 출력전압을 입력전류 Iin로 변조하며 발화에 적응하는 변조 적응부(modulating adaptation part);상기 변조 적응부로 변조와 적응된 상기 입력전류 Iin을 입력받아 막 전위로 통합되는 누설 통합부(leaky integration part); 및 상기 막 전위가 일정 크기 이상이 될 때 발화되어 활동전위 Vout로 출력되고 상기 변조 적응부를 제어하여 다음 발화를 준비하는 활동전위(action potential) 생성 및 제어부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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제 4 항에 있어서,상기 변조 적응부는 상기 전압 입력부의 출력전압을 게이트로 입력받아 드레인으로 상기 입력전류 Iin로 변조하여 상기 누설 통합부에 인가하는 제 1 p채널 MOSFET; 상기 활동전위 생성 및 제어부의 제어신호를 게이트로 입력받는 제 2 p채널 MOSFET; 및 상기 제 2 p채널 MOSFET의 드레인과 접지 사이에 병렬로 연결된 제 1 커패시터와 제 1 저항을 포함하여 구성되고, 상기 제 2 p채널 MOSFET의 드레인은 상기 제 1 p채널 MOSFET의 백게이트와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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제 5 항에 있어서,상기 누설 통합부는 상기 제 1 p채널 MOSFET의 드레인과 접지 사이에 병렬로 연결된 제 2 커패시터와 제 2 저항을 포함하여 구성되고, 상기 막 전위는 상기 제 2 커패시터의 양단에 걸린 전압인 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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제 5 항에 있어서,상기 전압 입력부는 상기 제 1 p채널 MOSFET의 게이트와 전기적으로 연결된 게이트를 갖는 제 3 p채널 MOSFET과 상기 제 3 p채널 MOSFET의 드레인과 접지 사이에 연결되어 게이트에 상기 입력전압 Vin이 인가되는 제 1 n채널 MOSFET을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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제 5 항에 있어서,상기 제 1 p채널 MOSFET는 SOI 기판에 형성된 SOI MOSFET이고,상기 제 1 p채널 MOSFET의 백게이트는 상기 SOI 기판의 매몰산화막 밑에 있는 하부 단결정 실리콘층에 형성된 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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제 8 항에 있어서,상기 SOI MOSFET의 바디 두께는 게이트 길이보다 작고,상기 매몰산화막의 두께는 상기 SOI MOSFET의 게이트 절연막 두께보다 1~10배인 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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제 4 항에 있어서,상기 활동전위 생성 및 제어부는 상기 막 전위를 입력전압으로 하는 제 1 인버터; 상기 제 1 인버터의 출력전압을 입력전압으로 하는 제 2 인버터; 상기 제 1 인버터의 출력전압이 게이트로 입력되는 상기 제 4 p채널 MOSFET; 및 상기 제 4 p채널 MOSFET의 드레인과 접지 사이에 연결되어 게이트에 상기 제 2 인버터의 출력전압이 인가되는 제 2 n채널 MOSFET을 포함하여 구성되고,상기 제 1 인버터의 출력전압은 상기 변조 적응부를 제어하는 제어신호이고, 상기 제 2 인버터의 출력전압이 상기 활동전위로 출력되는 것을 특징으로 하는 다이나믹 비전 센서
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