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상부에 베리어층이 적층된 기판을 준비하는 단계;상기 베리어층 상에 광흡수 기능층을 형성하는 단계;상기 광흡수 기능층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;상기 게이트 절연층 상에 용액공정을 수행하여 산화물 반도체 물질을 도포 후, 광원을 조사하여 산화물 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 산화물 반도체층 상에 상호 이격된 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 전극 형성 단계에서, 상기 게이트 전극은 상기 광원 조사시 상기 광흡수 기능층에서 광에너지를 흡수하여 변환되는 열에너지를 상기 산화물 반도체 물질에 전달하여 공급할 수 있도록 상기 광흡수 기능층 상에 형성되며,상기 광원은 IPL(Intense pulsed light)인 것인, 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 유기 또는 플렉시블 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 베리어층은 유기 또는 무기막인 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 광흡수 기능층은 금속박막층 및 상기 금속박막층 상에 위치하는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제4항에 있어서,상기 금속박막층은 Cr, Mo, Co, Ni, Pt 또는 W을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제4항에 있어서,상기 버퍼층은 질화규소, 산질화규소, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산질화알루미늄, 산화크롬 또는 산화티탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은 Mo, Al, Cu, Nd또는 Ti을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극의 두께는 200㎚ 내지350㎚인 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극의 광흡수율은 20% 이상인 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제4항에 있어서,상기 금속박막층의 두께는 1nm 내지 20nm 인 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 IPL의 조사는 0
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제1항에 있어서,상기 광흡수 기능층은 상기 산화물 반도체층을 형성하는 단계에서 조사된 광원을 흡수하여 상기 도포된 산화물 반도체 물질에 열에너지를 제공하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터 제조방법
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상부에 베리어층이 적층된 기판;상기 베리어층 상에 형성된 광흡수 기능층;상기 광흡수 기능층 상에 순차적으로 형성된 게이트 전극, 게이트 절연층 및 산화물 반도체층; 및상기 산화물 반도체층 상에 상호 이격되어 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하고,상기 게이트 전극은 상기 광흡수 기능층에서 광원의 광에너지를 흡수하여 변환되는 열에너지를 상기 산화물 반도체층에 전달하여 공급할 수 있도록 상기 광흡수 기능층 상에 형성되고, 상기 산화물 반도체층은 상기 게이트 절연층 상에 용액공정을 수행하여 산화물 반도체 물질을 도포 후, 광원을 조사하여 형성되는, 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터
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제14항에 있어서,상기 광흡수 기능층은 금속박막층 및 상기 금속박막층 상에 위치하는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터
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제16항에 있어서,상기 금속박막층의 두께는 1nm 내지 20nm 인 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터
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제16항에 있어서,상기 금속박막층은 Cr, Mo, Co, Ni, Pt 또는 W을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터
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제16항에 있어서,상기 버퍼층은 질화규소, 산질화규소, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산질화알루미늄, 산화크롬 또는 산화티탄을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 용액 공정 산화물 박막 트랜지스터
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