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절연층;상기 절연층 상에 위치하고, 다공성 나노구조를 포함하는 감지층; 및상기 감지층 상에 위치하는 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 감지층은 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 반도체 물질은 이산화 타이타늄, 산화 구리, 이황화 몰리브덴, 스트론튬 타이타늄산염, 삼산화 텅스텐, 삼산화 이철, 비스무트 바나듐산염, 이산화 주석 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 감지층은 자외선 또는 가시광선 조사에 의해 활성화 되어 타겟 가스를 감지할 수 있는 것을 특징으로 하고,상기 타겟 가스는 상기 타겟 가스의 산화 또는 환원에 따른 에너지 준위가 상기 감지층의 물질의 밴드 갭 에너지 준위 내에 존재하는 것으로 설정된 것을 특징으로 하는 광활성 가스센서
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제1항에 있어서,상기 다공성 나노 구조는 다수의 기공을 구비하며 복수개의 나노체가 네트워크를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 광활성 가스센서
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제4항에 있어서,상기 나노체는 나노로드, 나노와이어, 나노입자, 나노튜브 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광활성 가스센서
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제1항에 있어서,상기 다공성 나노 구조는 메조포러스, 매크로포러스 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 광활성 가스센서
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제1항에 있어서,상기 감지층의 두께가 0
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제1항에 있어서,상기 감지층의 비표면적이 0
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제1항에 있어서,상기 절연층은 이산화규소, 산화알루미륨, 산화탄탈륨, 산화지르코늄, 이산화하프늄, 이산화타이타늄, 산화질화규소, 질화규소 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광활성 가스센서
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제1항에 있어서,상기 타겟 가스는 카르복시산, 알데하이드, 탄소산화물, 알콜, 황산화물, 질소산화물, 탄화수소, 불소화합물, 암모니아 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광활성 가스센서
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기판 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층 상에 다공성 나노구조를 포함하는 감지층을 형성하는 단계; 상기 감지층을 표면 처리하는 단계; 및상기 표면 처리된 감지층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 감지층을 형성하는 단계는 시료를 증발법, 스퍼터링, 이온플레이팅 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 방법을 이용해 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 시료는 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 반도체 물질은 이산화 타이타늄, 산화 구리, 이황화 몰리브덴, 스트론튬 타이타늄산염, 삼산화 텅스텐, 삼산화 이철, 비스무트 바나듐산염, 이산화 주석 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 감지층은 자외선 또는 가시광선 조사에 의해 활성화 되어 타겟 가스를 감지할 수 있는 것을 특징으로 하고,상기 타겟 가스는 상기 타겟 가스의 산화 또는 환원에 따른 에너지 준위가 상기 감지층의 물질의 밴드 갭 에너지 준위 내에 존재하는 것으로 설정된 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 감지층을 형성하는 단계는 물리증착법을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
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제12항에 있어서,상기 감지층을 형성하는 단계에서 상기 다공성 나노구조는 다수의 기공을 구비하며 복수개의 나노체가 네트워크를 이루고 있는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
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제17항에 있어서,상기 나노체는 나노로드, 나노와이어, 나노입자, 나노튜브 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
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제12항에 있어서,상기 감지층을 형성하는 단계에서 상기 다공성 나노구조는 메조포러스, 매크로포러스 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
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제12항에 있어서,상기 표면 처리하는 단계는 열화학 공정, 이온빔 표면개질, 레이저 표면개질, 전지빔 표면개질, 도핑, 화학적 표면개질, 산화특성 개질 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법
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제12항의 가스센서 제조방법에 의해 제조된 가스센서
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제1항 또는 21항의 가스센서에 자외선 또는 가시광선을 조사하는 단계; 상기 가스센서의 표면에 검출 대상 가스를 공급하는 단계; 및상기 가스센서를 통해 타겟 가스 여부를 확인하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 검출 방법
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제22항에 있어서,상기 자외선 또는 가시광선 조사는 10μW/cm2 내지 1
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