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광활성층과 정공전달층 사이 계면층 도입으로 인해 광전변환 효율이 개선된 페로브스카이트 태양전지, 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2020006562
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광활성층과 정공전달층 사이 계면층 도입으로 인해 광전변환 효율이 개선된 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 측면에서 제공되는 페로브스카이트 태양전지는 광활성층과 정공전달층 사이 계면층 도입으로 인해 광전변환 효율과 장기 안정성이 대폭 향상될 수 있고, 가격 경쟁력도 우수하므로, 페로브스카이트 태양전지의 상용화에 큰 기여를 할 수 있다.
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) C08L 25/12 (2006.01.01) C08K 5/372 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01)
출원번호/일자 1020190005771 (2019.01.16)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2121413-0000 (2020.06.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.01.16)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이완인 서울특별시 영등포구
2 양인석 서울특별시 광진구 동일로**길 ** (군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0054596-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0064527-25
4 등록결정서
Decision to grant
2020.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0360153-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 투명전극;상기 투명전극 상에 형성된 전자전달층;상기 전자전달층 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 정공전달층; 및상기 정공전달층 상에 형성된 금속전극; 을 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 있어서,상기 정공전달층은 티오시안산구리(CuSCN)를 포함하고,상기 광활성층과 상기 정공전달층 사이에는, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 단량체로 중합된 고분자 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 계면층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지:[화학식 1](상기 화학식 1에서,X는 -CH=, 또는 -N=이고;상기 R1은 비치환, 하나 이상의 할로겐, 또는 하나 이상의 -NCS로 치환된 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬, -H, 할로겐, -N(R2)(R3), -SR4, -N3, 또는 -NCS이고,여기서, 상기 R2, R3 및 R4는 독립적으로 -H, 또는 C1-5의 직쇄 또는 분지쇄 알킬이다);[화학식 2](상기 화학식 2에서,n은 0 내지 3의 정수이다)
2 2
제1항에 있어서,상기 R1은 비치환, 하나 이상의 할로겐, 또는 하나 이상의 -NCS로 치환된 C1-5의 직쇄 또는 분지쇄 알킬, -H, 할로겐, -N(R2)(R3), -SR4, -N3, 또는 -NCS이고; 및상기 n은 0 내지 2의 정수인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 R1은 -H, 할로겐, -CH2Br, -N(CH3)2, -SH, -N3, -NCS, -CH2(NCS), 또는 -C(CH3)3 이고; 및상기 n은 0 내지 1의 정수인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 3-피리딜 이소티오시아네이트, 4-아이오도페닐 이소티오시아네이트, 4-(아이오도메틸)페닐 이소티오시아네이트, 4-(디메틸아미노)페닐 이소티오시아네이트, 4-클로로페닐 이소티오시아네이트, 4-메르캅토페닐 이소티오시아네이트, 페닐렌-1,4-디이소티오시아네이트, 4-플루오로페닐 이소티오시아네이트, 4-아지도페닐 이소티오시아네이트, 4-브로모페닐 이소티오시아네이트, 4-플루오로벤질 이소티오시아네이트 및 4-tert-부틸페닐 이소티오시아네이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이고; 및상기 화학식 2로 표시되는 단량체로 중합된 고분자 화합물은 메틸이소티오시아네이트 폴리스티렌인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 계면층은 3-피리딜 이소티오시아네이트 및 페닐렌-1,4-디이소티오시아네이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
6 6
제5항에 있어서,상기 3-피리딜 이소티오시아네이트 및 페닐렌-1,4-디이소티오시아네이트는 1:1 몰(mol) 비로 상기 계면층에 포함되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지
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기판상에 투명전극, 전자전달층, 광활성층을 순서대로 적층하는 단계;상기 광활성층 상에, 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 단량체로 중합된 고분자 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 계면층을 형성시키는 단계;상기 계면층 상에 티오시안산구리(CuSCN)를 포함하는 정공전달층, 금속전극을 순서대로 적층하는 단계; 를 포함하는,페로브스카이트 태양전지의 제조방법:[화학식 1](상기 화학식 1에서,X는 -CH=, 또는 -N=이고;상기 R1은 비치환, 하나 이상의 할로겐, 또는 하나 이상의 -NCS로 치환된 C1-10의 직쇄 또는 분지쇄 알킬, -H, 할로겐, -N(R2)(R3), -SR4, -N3, 또는 -NCS이고,여기서, 상기 R2, R3 및 R4는 독립적으로 -H, 또는 C1-5의 직쇄 또는 분지쇄 알킬이다);[화학식 2](상기 화학식 2에서,n은 0 내지 3의 정수이다)
8 8
제7항에 있어서,상기 계면층을 형성시키는 단계는,상기 광활성층 상에, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 단량체로 중합된 고분자 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 용매에 용해시킨 용액을 코팅하고 건조시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 용매는 클로로포름, 톨루엔, 클로로벤젠, 벤젠, 디에틸에테르, 메틸렌 클로라이드 및 자일렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
10 10
제8항에 있어서,상기 용액의 농도는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 인하대학교산학협력단 기후변화대응 기초,원천기술개발사업 [Ezbaro] Pb-free 광활성소재를 기반으로한 고효율 장수명의 페로브스카이트 태양전지 개발