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원자력 현미경용 프로브 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020006849
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 원자력 현미경용 프로브 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 원자력 현미경용 프로브는 프로브 팁, 그리고 상기 프로브 팁 표면에 위치하며, 금속 실리사이드(metal silicide)를 포함하는 코팅층을 포함한다. 상기 원자력 현미경용 프로브는 반도체 시료를 측정할 때 쇼트키(schottky) 장벽으로 인한 전류의 흐름 방해가 발생하지 않기 때문에, 반도체 표면의 전기전도성 측정의 정확도와 신뢰도를 크게 높일 수 있다. 또한, 상기 원자력 현미경용 프로브는 훨씬 날카롭고 결정성이 좋은 팁을 포함함에 따라 반도체 표면의 전기전도성 측정시 분해능과 신뢰성을 더욱 높여줄 수 있다.
Int. CL G01Q 60/38 (2010.01.01) G02B 21/00 (2006.01.01)
CPC G01Q 60/38(2013.01) G01Q 60/38(2013.01)
출원번호/일자 1020180154950 (2018.12.05)
출원인 전북대학교산학협력단, 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2137442-0000 (2020.07.20)
공개번호/일자 10-2020-0068782 (2020.06.16) 문서열기
공고번호/일자 (20200727) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우희 서울특별시 성북구
2 서정대 전북 전주시
3 손종역 경기도 오산시 대원로 ** **

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 천지 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 신한빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
2 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-1216859-05
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0195010-92
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-1250619-41
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
10 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination
2019.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0117416-74
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.10.28 수리 (Accepted) 9-1-2019-0048796-39
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0827297-67
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0024268-53
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2020-0024266-62
15 등록결정서
Decision to grant
2020.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0277932-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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프로브 팁 표면에 금속 실리사이드(metal silicide) 형성이 가능한 금속을 증착하는 단계,상기 증착된 금속 표면에 캡핑층(capping layer)을 형성하고, 저온 열처리(annealing)하는 단계, 그리고상기 캡핑층을 제거하고 고온 열처리하는 단계를 포함하며,상기 저온 열처리는 200 ℃ 내지 300 ℃에서 30 초 내지 2 분 동안 이루어지고, 상기 고온 열처리는 400 ℃ 내지 500 ℃에서 30 초 내지 2 분 동안 이루어지는 것인 원자력 현미경용 프로브의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 금속 실리사이드 형성이 가능한 금속은 Ti, Co 및 Ni로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 원자력 현미경용 프로브의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 금속을 증착하는 단계는 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 이루어지는 것인 원자력 현미경용 프로브의 제조 방법
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제 4 항에 있어서,상기 캡핑층은 Ti 및 Ru로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 물질을 포함하는 것인 원자력 현미경용 프로브의 제조 방법
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9 9
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국가 R&D 정보가 없습니다.