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불안정상 또는 준안정상을 갖는 상전이 물질; 및상기 상전이 물질 상에 헤테로에피택시 성장한 나노 결정 도핑제로 형성된 도핑층;을 포함하며,상기 나노 결정 도핑제의 임의의 두 결정축에 대한 격자 상수와 상기 상전이 물질의 임의의 두 결정축에 대한 격자 상수의 차이는 25% 이하이고,상기 나노 결정 도핑제는 상기 상전이 물질의 상기 불안정상 및 상기 준안전상을 고정하는, 상-고정된 상전이 물질
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청구항 1에 있어서, 상기 상전이 물질은 전이금속 디칼코게나이드(Transition metal dichalcogenide)를 포함하는, 상-고정된 상전이 물질
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청구항 1에 있어서, 상기 나노 결정 도핑제는 금속 원소 또는 금속염 화합물을 포함하는, 상-고정된 상전이 물질
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청구항 1에 있어서, 상기 상전이 물질은 1T 상 이황화몰리브데늄(MoS2) 또는 1T 상 이황화텅스텐(WS2)을 포함하는, 상-고정된 상전이 물질
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청구항 4에 있어서, 상기 나노 결정 도핑제는 산화아연(ZnO) 또는 금(Au)을 포함하는, 상-고정된 상전이 물질
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청구항 1에 있어서, 상기 도핑층은 입경 3nm 이하의 나노 결정 도핑제 입자로 형성되는, 상-고정된 상전이 물질
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청구항 1에 있어서, 상기 상전이 물질은 나노 박막으로 이루어진, 상-고정된 상전이 물질
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청구항 1에 있어서, 250 내지 350℃ 온도로 1시간 어닐링(annealing)한 후의 상 유지율이 50% 이상인, 상-고정된 상전이 물질
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나노 결정 도핑제 전구체를 준비하는 단계; 및불안정상 또는 준안정상을 갖는 상전이 물질에 상기 나노 결정 도핑제 전구체를 반응시켜 나노 결정 도핑제를 헤테로에피택시 성장시키는 단계;를 포함하며,상기 나노 결정 도핑제는 상기 상전이 물질의 상기 불안정상 및 상기 준안전상을 고정하는, 상전이 물질의 상 고정 방법
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청구항 9에 있어서, 상기 상전이 물질은 이황화몰리브데늄 또는 이황화텅스텐을 포함하는, 상전이 물질의 상 고정 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 나노 결정 도핑제는 산화아연 또는 금을 포함하는, 상전이 물질의 상 고정 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 헤테로에피택시 성장 전, 상기 상전이 물질을 리튬 삽입법에 의해 박막화하는 단계를 더 포함하는, 상전이 물질의 상 고정 방법
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