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반도체 소자 및 이를 포함하는 센서

  • 기술번호 : KST2020006888
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 소자 및 이를 포함하는 센서에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기재; 및 상기 기재의 적어도 일면의 전부 또는 일부에 배치된 반도체 박막을 포함하며, 상기 반도체 박막은 표면에 일 방향으로 스크래치가 형성되어 있고, 상기 반도체 박막은 전부 또는 일부에 일 방향으로 형성된 나노 리본 구조를 포함하는 반도체 소자 및 이를 포함하는 센서에 관한 것으로, 상기 반도체 소자는 간단한 공정을 통해 제조할 수 있으며, 상기 반도체 소자를 포함하는 센서는 감도가 우수하고 작동온도가 낮아져 소비전력이 감소될 수 있다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) G01N 27/04 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200061873 (2020.05.22)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0064037 (2020.06.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2018-0076430 (2018.07.02)
관련 출원번호 1020180076430
심사청구여부/일자 Y (2020.05.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정오 대전광역시 유성구
2 이건희 대전광역시 유성구
3 채수상 대전광역시 유성구
4 정두원 대전광역시 유성구
5 최민 대전광역시 유성구
6 장현주 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인리채 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2020.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0520518-74
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0498178-27
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1005704-03
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-1005703-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재; 및상기 기재의 적어도 일면의 전부 또는 일부에 배치된 반도체 박막을 포함하며,상기 반도체 박막은 적어도 일부에 일 방향으로 배열되며, 상기 반도체 박막보다 강도가 큰 입자를 상기 반도체 박막의 표면과 접촉시켜 일 방향으로 스크래치를 형성함에 따라 형성된 나노 리본 구조를 포함하는, 반도체 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 반도체 박막은 금속산화물 반도체 박막, 실리콘 반도체 박막, 갈륨비소 반도체 박막, 게르마늄-반도체 박막, 실리콘-게르마늄 반도체 박막 및 유기반도체 박막로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 반도체 소자
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 반도체 박막은 금속산화물 반도체 박막인 반도체 소자
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 금속산화물 반도체 박막은 ZnO, MgO, SrO, TiO2, SnO2, In2O3 및 Ga2O3로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 박막인 반도체 소자
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 금속산화물 반도체 박막은 XPS 스펙트럼의 금속 피크 및 산소 결함 피크가 스크래치가 형성되지 않은 반도체 박막보다 증가된 것인 반도체 소자
6 6
청구항 1항에 있어서, 상기 반도체 박막의 두께는 10 nm 내지 500 ㎛인 반도체 소자
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 스크래치의 폭은 10nm 내지 250nm이며, 상기 스크래치의 깊이는 0
8 8
청구항 1에 따른 반도체 소자를 포함하는, 센서
9 9
기재 상에 반도체 박막 예비층을 형성하는 단계; 및상기 반도체 박막 예비층보다 강도가 큰 입자를 상기 반도체 박막 예비층의 표면과 접촉시켜 일 방향으로 스크래치를 형성하여 나노 리본 구조를 포함하는 반도체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 입자는 다이아몬드 입자인 반도체 소자의 제조방법
11 11
청구항 9에 있어서, 상기 입자의 평균 입경(D50)은 1 내지 10 ㎛인 반도체 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.