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무배향된 또는 이축배향된 금속 기판을 준비하는 단계;상기 금속 기판 상에 금속 산화물을 증착하여 이축 배향된 완충층을 제조하는 단계; 및 상기 이축 배향된 완충층 상부에 이축배향된 질화철 후막을 형성하는 단계를 포함하여,무배향된 또는 이축배향된 금속 기판, 이축배향된 완충층 및 이축배향된 질화철 후막(thick film)을 포함하는 질화철 자성체를 제조하는 질화철 자성체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이축배향된 금속 기판은 무배향된 금속 기판을 압연 및 진공 열처리하여 제조되는 질화철 자성체의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 압연은 상온에서 실시하는 냉간압연인 질화철 자성체의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 진공열처리가 900 내지 1100℃에서 실시되는 질화철 자성체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이축배향된 완충층 상부에 이축배향된 질화철 후막을 형성하는 단계가상기 이축배향된 완충층 상부에 철을 증착하면서 질화처리를 동시에 수행하여 실시되는 질화철 자성체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 이축배향된 완충층 상부에 이축배향된 질화철 후막을 형성하는 단계가상기 이축배향된 완충층 상부에 철을 증착하여 철 후막(Fe thick film)을 제조한 다음, 상기 철 후막의 질화처리를 실시하는 질화철 자성체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 질화처리는 플라즈마 질화공정인 질화철 자성체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 질화철 후막이 Fe16N2상을 함유하며, 질화철 후막의 두께는 1㎛ 이상인 질화철 자성체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 완충층은 산화마그네슘, 란타늄망간산화물, 세륨산화물 및 이트륨산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 질화철 자성체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 기판은 니켈, 구리, 은, 망간, 크롬, 바나듐, 알루미늄, 탄탈륨, 텅스텐, 주석, 아연,금 또는 그 조합물을 포함하는 질화철 자성체의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 완충층의 두께는 수 십 내지 수 백 nm인 질화철 자성체의 제조방법
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무배향된 또는 이축배향된 금속 기판; 이축배향된 완충층; 및 Fe16N2상을 함유하며 이축배향된 질화철 후막(thick film)을 포함하는 질화철 자성체
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제12항에 있어서,상기 질화철 후막의 두께는 1㎛ 이상인 질화철 자성체
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제12항에 있어서,상기 완충층은 산화마그네슘, 란타늄망간산화물, 세륨산화물 및 이트륨산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고, 상기 완충층의 두께는 수 십 내지 수 백nm인 질화철 자성체
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제12항에 있어서, 상기 금속 기판은 니켈, 구리, 은, 망간, 크롬, 바나듐, 알루미늄, 탄탈륨, 텅스텐, 주석, 아연, 금 또는 그 조합물을 포함하는 질화철 자성체
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