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제1 도전성 타입의 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 상면에 배치된 제2 도전성 타입의 에미터층;상기 에미터층 상부에 배치된 반사 방지막;상기 실리콘 기판의 하부에 배치된 전하선택 박막;상기 전하선택 박막의 하부에 배치된 투명층;상기 투명층의 하면에 배치된 제1 전극; 및상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극;을 포함하는 전하선택 박막을 포함하는 실리콘 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 전하선택 박막은,상기 실리콘 기판의 하면에 배치된 제1 금속 산화막;상기 제1 금속 산화막의 하면에 배치된 제2 금속 산화막; 및상기 제2 금속 산화막의 하면에 배치된 제3 금속 산화막;을 포함하는 실리콘 태양전지
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3
제2 항에 있어서,상기 제1 금속 산화막은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 0
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4
제2 항에 있어서,상기 제2 금속 산화막은 산화 몰리브덴(MoOx)으로 3
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제2 항에 있어서,상기 제3 금속 산화막은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 0
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6
제1 도전성 타입의 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판의 상면에 제2 도전성 타입의 에미터층을 형성하는 단계;상기 에미터층 상에 반사 방지막을 형성하는 단계;상기 실리콘 기판의 하부에 전하선택 박막을 형성하는 단계;상기 전하선택 박막의 하부에 투명층을 형성하는 단계;상기 투명층의 하면에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 에미터층과 전기적으로 접속되는 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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7
제6 항에 있어서,상기 전하선택 박막을 형성하는 단계에서,상기 실리콘 기판의 하면에 제1 금속 산화막을 형성하고, 상기 제1 금속 산화막의 하면에 제2 금속 산화막을 형성하고, 상기 제2 금속 산화막의 하면에 제3 금속 산화막을 형성하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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8
제7 항에 있어서,상기 제1 금속 산화막은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 0
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9
제7 항에 있어서,상기 제2 금속 산화막은 산화 몰리브덴(MoOx)으로 3
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제7 항에 있어서,상기 제3 금속 산화막은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 0
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