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트랜지스터;상기 트랜지스터의 게이트에 일정한 전압을 공급하는 전압원; 및상기 트랜지스터의 드레인에 바이어스 전류를 공급하는 바이어스 전류원을 포함하고,상기 드레인의 전압을 검출전압으로 출력하되,상기 바이어스 전류원의 드레인 전류를 가변하여 드레인 전압 검출 특성을 조정하고,상기 드레인 전압은 상기 트랜지스터의 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)에 의해 문턱전압의 변화를 검출하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 트랜지스터는, 고전자 이동도 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 가스센서
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제1항에 있어서,상기 전압원은,상기 트랜지스터의 소스와 접지 사이에 위치하는 저항과, 상기 트랜지스터의 게이트가 접지된 구조인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 가스센서
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제1항 내지 제3항 중 한 항에 있어서,상기 트랜지스터, 전압원 및 전류원을 포함하는 회로를 한 쌍으로 구성하고,한 쌍의 회로 중 일측을 가스에 노출되는 접촉부, 한 쌍의 회로 중 다른 일측을 가스에 노출되지 않는 비접촉부로 하여,비접촉부에 대한 접촉부의 드레인 전압 변화를 검출전압으로 하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 기반 가스센서
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트랜지스터 기반 가스센서를 이용하여 가스를 검출하는 방법에 있어서,상기 트랜지스터의 게이트 전압과 상기 트랜지스터의 드레인 전류를 일정하게 유지한 상태에서,가스의 농도에 따른 상기 트랜지스터의 문턱전압 변화를 상기 트랜지스터의 드레인 전압을 이용하여 검출하되,바이어스 전류원의 드레인 전류를 가변하여 드레인 전압 검출 특성을 조정하고,상기 드레인 전압은 상기 트랜지스터의 DIBL(Drain Induced Barrier Lowering)에 의해 문턱전압의 변화를 검출하는 것을 특징으로 하는 가스 검출 방법
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제5항에 있어서,문턱전압이 감소할 때, 상기 드레인 전압은 증가하는 것을 특징으로 하는 가스 검출 방법
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