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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 하부 전극층을 형성하는 단계;상기 하부 전극층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 활성 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 스위치 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 하부 전극층 및 활성층 각각은 펄스레이저 증착법(pulsed laser deposition)에 의해 형성되는 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 활성층은 펄스레이저 증착법(pulsed laser deposition)에 의해 형성되고, 형성 후 산소 분위기에서 포스트-어닐링(post-anealing)처리되는 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 형성되는 하부 전극층;상기 하부 전극층 상에 형성되는 활성층; 및상기 활성층 상에 형성되는 활성 금속층을 포함하며,상기 활성 금속층에 (+) 방향의 전압이 인가되는 경우 높은 저항에서 낮은 저항으로 급진적인 저항 변화 상태를 나타내며, 인가된 (+) 방향의 전압이 작아지면 자동적으로 높은 저항 상태를 유지하는 스위치 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 활성 금속층에 전압이 인가되는 경우, 상기 활성 금속층의 금속이 이온화되어, 상기 활성 금속층의 분극방향 및 외부 전기장에 의해 상기 활성 금속층 내로 유입되거나 유출되는 필라멘트가 형성되는 스위치 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 하부 전극층은 페로브스카이트 결정구조를 가지는 전도성 산화물을 포함하는 스위치 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 하부 전극층은 La1-xSrxMnO3을 포함하며, 상기 x는 0 초과 1 미만인 스위치 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 활성층은 페로브스카이트 결정구조의 자발분극을 가지는 산화물을 포함하는 스위치 소자
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제 4 항에 있어서,상기 활성층은 Pb(Zr1-yTiy)O3를 포함하며, 상기 y는 0 초과 1 미만인 스위치 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 활성 금속층은 Ag(은)를 포함하는 스위치 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 활성층은 상기 하부 전극층 상에 펄스레이저 증착법(pulsed laser deposition)에 의해 형성되며, 형성 후 산소 분위기에서 포스트-어닐링(post-annealing)처리된 활성층인 스위치 소자
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제 4 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 스위치 소자를 포함하는 휘발성 메모리 장치
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