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a) 제1전자매개체의 전구체를 포함하는 음극액을 음극액 저장조에 투입하고, 제2전자매개체의 전구체를 포함하는 양극액을 양극액 저장조에 투입하는 단계;b) 상기 제1전자매개체의 전구체를 포함하는 음극액을 음극실에 주입하고, 상기 제2전자매개체의 전구체를 포함하는 양극액을 양극실에 주입한 후, 전류를 인가함으로써 상기 제1전자매개체의 전구체를 환원시켜 제1전자매개체를 포함하는 음극액을 제조함과 동시에 상기 제2전자매개체의 전구체를 산화시켜 제2전자매개체를 포함하는 양극액을 제조하는 단계;c) 상기 제1전자매개체를 포함하는 음극액에 SF6를 용해하여 상기 제1전자매개체와 상기 SF6를 반응시켜 매개 전기화학적 환원을 통해 SF6를 제거하면서 SF6로부터 반응 생성물을 생성하는 단계; 및d) 상기 제2전자매개체를 포함하는 양극액에 상기 반응 생성물을 용해하여 상기 제2전자매개체와 상기 반응 생성물을 반응시킴으로써, 매개 전기화학적 산화를 통해 상기 반응 생성물을 제거하는 단계;를 포함하는, SF6의 매개 전기화학적 제거 방법
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제 1항에 있어서,상기 제1전자매개체의 전구체는 [Max+(HA)y]z-이며, 상기 제1전자매개체는 [Ma(x-1)+(HA)y](z+1)-(이때, Ma는 전이금속이며, HA는 할로겐물질 또는 유사 할로겐물질이며, x, y 및 z는 2 내지 10의 자연수로 y-x=z를 만족한다
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제 2항에 있어서,상기 제1전자매개체의 전구체는 [Ni2+(CN)4]2-이며, 상기 제1전자매개체의 전구체가 환원된 제1전자매개체는 [Ni1+(CN)4]3-인, SF6의 매개 전기화학적 제거 방법
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제 1항에 있어서,상기 제2전자매개체의 전구체는 Mbn+의 염이며, 상기 제2전자매개체는 Mb(n+1)+의 염(이때, Mb는 전이금속이며, n은 0 내지 5에서 선택되는 자연수이다
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제 4항에 있어서,상기 제2전자매개체의 전구체는 AgNO3 또는 Ag2(NO3)2이며, 상기 제2전자매개체의 전구체가 산화된 제2전자매개체는 AgSO4 또는 Ag(NO3)2인, SF6의 매개 전기화학적 제거 방법
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제 1항에 있어서,상기 양극액은 산성 용액을 포함하며, 상기 음극액은 염기성 용액을 포함하는 것인, SF6의 매개 전기화학적 제거 방법
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제 6항에 있어서,상기 산성 용액의 pH는 1 이하이고, 염기성 용액의 pH는 13 이상인, SF6의 매개 전기화학적 제거 방법
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제 1항에 있어서,상기 b)단계에서 전류는 1 내지 100 mA/㎠의 전류 밀도로 인가되는 것인, SF6의 매개 전기화학적 제거 방법
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제1전자매개체를 포함하는 음극액이 수용된 음극액(catholyte) 저장조, 제2전자매개체를 포함하는 양극액이 수용된 양극액(anolyte) 저장조, 격막셀, 및 전원공급부를 포함하는 전해셀;상기 음극액 저장조의 상부에 구비된 제1습식 스크러버 및 상기 양극액 저장조의 상부에 구비된 제2습식 스크러버;상기 음극액 저장조의 상단부를 통해 상기 제1습식 스크러버의 하단부로 SF6를 공급하는 SF6 공급기; 및상기 제1습식 스크러버의 상단부와 상기 양극액 저장조의 상단부 또는 제2습식 스크러버의 하단부를 연결하는 기체이동관을 포함하며,상기 기체이동관은 상기 제1습식 스크러버에서 SF6의 분해에 의해 생성되는 반응 생성물을 상기 제2습식 스크러버로 이동시켜 제거되도록 하는, SF6의 매개 전기화학적 제거 시스템
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제 9항에 있어서,제1전자매개체는 [Ma(x-1)+(HA)y](z+1)-(이때, Ma는 전이금속이며, HA는 할로겐물질 또는 유사 할로겐물질이며, x, y 및 z는 2 내지 10의 자연수로 y-x=z를 만족한다
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제 10항에 있어서,상기 제1전자매개체는 [Ni1+(CN)4]3-인, SF6의 매개 전기화학적 제거 시스템
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제 9항에 있어서,상기 제2전자매개체는 Mb(n+1)+의 염(이때, Mb는 전이금속이며, n은 0 내지 5에서 선택되는 자연수이다
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제 12항에 있어서,상기 제2전자매개체는 AgSO4 또는 Ag(NO3)2인, SF6의 매개 전기화학적 제거 시스템
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