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기판 상에 칼코겐 원소를 스퍼터링하여 증착하는 전처리 단계(단계 1);상기 칼코겐 원소가 증착된 기판 상에 전이금속 디칼코게나이드 및 칼코겐 원소를 동시에 스퍼터링 증착하는 단계(단계 2); 및불활성 분위기에서 300℃ 내지 700℃의 온도로 어닐링하는 단계(단계 3);를 포함하는 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3 이후에 활성 분위기에서 100℃ 내지 350℃의 온도로 에어 어닐링하는 단계를 추가로 포함하는 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2, NbS2, NbSe2, TaS2, TaSe2, ZrS2, ZrSe2, HfS2, HfSe2, MoTe2, WTe2, NbTe2, TaTe2, ZrTe2, HfTe2 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것인 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 칼코겐 원소는 S, Se, Te 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것인 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 어닐링 단계는 스퍼터링 챔버 내에서 이루어지는 것인 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전이금속 디칼코게나이드 박막은 트랜지스터용인 것을 특징으로 하는 전이금속 디칼코게나이드 박막의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 전이금속 디칼코게나이드 박막을 포함하는 트랜지스터
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