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기판;상기 기판 상에 형성되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되는 절연막;상기 절연막 상에 형성되는 산화물 박막; 및상기 산화물 박막 상에 형성되는 상부 전극을 포함하되, 상기 절연막은 이산화티타늄(TiO2)을 증착하여 박막 형태로 형성되고, 상기 산화물 박막은 두 층 이상의 IZO(Indium-Zinc Oxide) 박막이 멀티 스택(Multi stacked)되어 있는 구조로서, IZO 박막을 형성하는 용액 공정을 연속으로 3회 반복하여, 3개의 IZO 박막 레이어(layer)가 균일하게 적층되는 구조이며, 상기 IZO 박막에 (+) 바이어스를 인가하면 필라멘트(filament)의 형성으로 인해 수행 경로(conducting pathways)가 생성되고, 생성된 수행 경로를 통해서 계면의 산화된 산소 이온과 IZO 박막의 트랩(trap)된 이온이 TiO2 박막으로 되돌아가며, 이로 인하여 저저항 라이트(write) 상태인 LRS(low resistance state) 상태로 전환되고, 상기 IZO 박막에 (-) 바이어스를 인가하면 TiO2 박막의 산소 트랩이 전도성 전자의 이동을 막음으로써, 필라멘트(filament)의 파열이 발생하게 되고, 이로 인하여 고저항 이레이즈(erase) 상태인 HRS(high resistance state) 상태가 되는 것을 특징으로 하는 저항 변화형 메모리
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청구항 1에 있어서, 상기 하부 전극 및 상부 전극은 알루미늄(Al)을 증착하여 형성되는 것임을 특징으로 하는 저항 변화형 메모리
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기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 산화물 박막 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 절연막은 이산화티타늄(TiO2)을 증착하여 박막 형태로 형성되고, 상기 산화물 박막은 두 층 이상의 IZO(Indium-Zinc Oxide) 박막이 멀티 스택(Multi stacked)되어 있는 구조로서, IZO 박막을 형성하는 용액 공정을 연속으로 3회 반복하여, 3개의 IZO 박막 레이어(layer)가 균일하게 적층되는 구조이고, 상기 IZO 박막에 (+) 바이어스를 인가하면 필라멘트(filament)의 형성으로 인해 수행 경로(conducting pathways)가 생성되고, 생성된 수행 경로를 통해서 계면의 산화된 산소 이온과 IZO 박막의 트랩(trap)된 이온이 TiO2 박막으로 되돌아가며, 이로 인하여 저저항 라이트(write) 상태인 LRS(low resistance state) 상태로 전환되고, 상기 IZO 박막에 (-) 바이어스를 인가하면 TiO2 박막의 산소 트랩이 전도성 전자의 이동을 막음으로써, 필라멘트(filament)의 파열이 발생하게 되고, 이로 인하여 고저항 이레이즈(erase) 상태인 HRS(high resistance state) 상태가 되는 것을 특징으로 하는 저항 변화형 메모리 제작 방법
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청구항 5에 있어서, 상기 하부 전극 및 상부 전극은 알루미늄(Al)을 증착하여 형성되는 것임을 특징으로 하는 저항 변화형 메모리 제작 방법
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