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게이트 전극을 포함하는 기판 상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 산화물 박막을 형성하는 단계; 상기 산화물 박막에 대하여 산소 플라즈마 처리(oxygen plasma treatment) 공정을 수행하는 단계; 및상기 산화물 박막 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 산화물 박막을 형성하는 단계에서, 2 레이어(layers) 이상의 IZO(Indium-Zinc Oxide) 박막이 연속하여 적층되도록 산화물 박막을 형성하며, 상기 산소 플라즈마 처리 공정을 수행하는 단계에서, 분자 빔 에피택시 시스템(molecular beam epitaxy system)을 이용하여 공정을 수행하되, 챔버(Chamber)에서 진공도가 1 × 10-3 torr가 되면 산소(oxygen) 가스를 이용하여 퍼지(purge) 과정을 진행하고, RF 제너레이터(generator)와 매칭박스(matching box)를 이용하여 플라즈마(plasma)를 발생시킨 후에 RF 제너레이터(generator)의 파워(power)를 200 W까지 올려서 고정시킨 후, 3분 동안 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 절연막을 형성하는 단계에서, 상기 기판 상에 SiO2를 성장시키는 방식으로 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계에서, 알루미늄(Al)을 증착하여 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 산화물 박막을 형성하는 단계에서, IZO 박막을 형성하는 공정을 연속으로 3회 반복하여, 3개의 IZO 박막 레이어(layer)가 균일하게 적층되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터 제조 방법
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게이트 전극을 포함하는 기판;상기 기판 상에 형성되는 절연막;상기 절연막 상에 형성되는 산화물 박막; 및상기 산화물 박막 상에 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하되, 상기 산화물 박막은 2 레이어(layers) 이상의 IZO(Indium-Zinc Oxide) 박막이 연속하여 적층되는 구조이고, 상기 산화물 박막에 대하여 산소 플라즈마 처리(oxygen plasma treatment) 공정을 수행하며, 상기 산소 플라즈마 처리 공정을 수행함에 있어서, 분자 빔 에피택시 시스템(molecular beam epitaxy system)을 이용하여 공정을 수행하되, 챔버(Chamber)에서 진공도가 1 × 10-3 torr가 되면 산소(oxygen) 가스를 이용하여 퍼지(purge) 과정을 진행하고, RF 제너레이터(generator)와 매칭박스(matching box)를 이용하여 플라즈마(plasma)를 발생시킨 후에 RF 제너레이터(generator)의 파워(power)를 200 W까지 올려서 고정시킨 후, 3분 동안 플라즈마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터
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청구항 6에 있어서, 상기 절연막은 상기 기판 상에 SiO2를 성장시키는 방식으로 형성되는 것임을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터
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청구항 6에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 알루미늄(Al)을 증착하여 형성되는 것임을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터
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청구항 6에 있어서, 상기 산화물 박막은 IZO 박막을 형성하는 공정을 연속으로 3회 반복하여, 3개의 IZO 박막 레이어(layer)가 균일하게 적층되도록 형성되는 것임을 특징으로 하는 산화물 트랜지스터
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