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용액공정기반 산화물 박막 소자 제조방법에 있어서, 졸겔(sol-gel)법으로 제조한 산화물 박막소자에 대하여 하이드록실기의 분해가 가능한 헬륨분위기에서 15 내지 35분간 반도체층을 소결하는 것을 특징으로 하는 용액공정기반 산화물 박막 소자 제조방법이며,상기 용액공정기반 산화물 박막 소자 제조방법으로 제조된 산화물박막 소자는 문턱전압(threshold voltage, VTH)값이 0 내지 8 V이며, 문턱전압하 기울기(subthreshold slope, Vss)값이 0
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제 1항에 있어서, 상기 헬륨분위기는 온도가 150 내지 450 ℃이며 적용기압이 1 기압 이상의 상압인 것을 특징으로 하는 용액공정기반 산화물 박막소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 InO, GaO, InGaO, ZnO, InZnO, InGaZnO, 또는 ZnSnO인 것을 특징으로 하는 용액공정기반 산화물 박막 소자 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 InGaO, ZnO, InZnO, InGaZnO, 또는 ZnSnO는 비정질(amorphous)인 것을 특징으로 하는 용액공정기반 산화물 박막 소자 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 비정질 InGaZnO는 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn)의 원자비가 x : y : (10-x) (In : Ga : Zn) (0 x 10, 0 y 10)인 것을 특징으로 하는 용액공정기반 산화물 박막 소자 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 비정질 ZnSnO는 아연(Zn)과 주석(Sn)의 원자비가 x : (10-x) (Zn : Sn) (0 x 10)인 것을 특징으로 하는 용액공정기반 산화물 박막 소자 제조방법
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