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고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자에 있어서,상기 고저항 에피탁시 기판(15)은 상기 고저항 에피탁시 기판(15)에 생성되는 고유 결함(native defects) 또는 불순물(impurities)에 의한 페르미 에너지 준위의 변동을 억제하기 위해 밴드갭의 중간지점(1201)을 기준으로 상기 고유 결함 또는 불순물을 이루는 제 1 원소에서 발생하는 전하를 상쇄시키기 위해 상기 제 1 원소와 구별되는 제 2 원소로 도핑되며,상기 에피탁시 기판(15)은 실리콘 기판(11)의 일면 또는 양면에 증착되는 다공성 실리콘층(13)의 상면에 증착되어 형성되고,상기 제 2 원소는 상기 중간지점(1201)으로부터 떨어진 거리는 동일하고 방향은 반대인 원소이고,반도체 다이오드 소자의 전류-전압 곡선상 3사분면에 위치하는 것을 특징으로 하는 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 에피탁시 기판(15)의 일면상에 형성되는 접합층(620,720,820);을 포함하는 것을 특징으로 하는 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자
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◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 원소는 B, Al, Ga, In, Tl, Pd, Na, Be, Zn, Au, Co, V, Ni, Mo, Hg, Sr, Ge, Cu, K, Sn, W, Pb, O, Fe,Li, Sb, P, As, Bi, Te, Ti, C, Mg, Se, Cr, Ta, Cs, Ba, S, Mn, Ag, Cd, Pt, Si 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 원소는 B, Al, Ga, In, Tl, Pd, Na, Be, Zn, Au, Co, V, Ni, Mo, Hg, Sr, Ge, Cu, K, Sn, W, Pb, O, Fe,Li, Sb, P, As, Bi, Te, Ti, C, Mg, Se, Cr, Ta, Cs, Ba, S, Mn, Ag, Cd, Pt, Si 중 상기 제 1 원소로 선택된 원소를 제외한 원소중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 증착은 CCP(Capacitively Coupled Plasma) 플라즈마를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자
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제 1 항에 있어서,상기 도핑은 도핑 농도의 조절을 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자
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제 1 항, 제 4 항 내지 제 9 항, 제 11 항, 및 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 반도체 수광소자를 포함하는 광자 검출기
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◈청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자 제조 방법에 있어서,상기 고저항 에피탁시 기판(15)에 생성되는 고유 결함(native defects) 또는 불순물(impurities)에 의한 페르미 에너지 준위의 변동을 억제하기 위해 밴드갭의 중간지점(1201)을 기준으로 상기 고유 결함 또는 불순물을 이루는 제 1 원소에서 발생하는 전하를 상쇄시키기 위해 상기 제 1 원소와 구별되는 제 2 원소로 도핑하는 단계;를 포함하며,상기 에피탁시 기판(15)은 실리콘 기판(11)의 일면 또는 양면에 증착되는 다공성 실리콘층(13)의 상면에 증착되어 형성되고,상기 제 2 원소는 상기 중간지점(1201)으로부터 떨어진 거리는 동일하고 방향은 반대인 원소이고,반도체 다이오드 소자의 전류-전압 곡선상 3사분면에 위치하는 것을 특징으로 하는 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 제 2 원소로 도핑하는 단계 이전에, 실리콘 기판(11)의 일면 또는 양면에 다공성 실리콘층(13)을 증착하는 단계; 및 상기 다공성 실리콘층(13)의 상면에 상기 에피탁시 기판(15)을 증착 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고저항 에피탁시 기판을 이용한 반도체 수광 소자 제조 방법
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◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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