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서로다른 파장이 혼합된 혼합광이 유입되는 광전극;으로서, In(x)Ga(1-x)N (0≤x003c#1)으로 마련되되, 상기 혼합광이 유입되는 방향으로 순차로 밴드갭 에너지가 작아지는 복수개의 광흡수층이 적층되어 구비되는 광전극;상기 광전극과 전기적으로 연결되는 상대전극; 및상기 광전극과 상기 상대전극이 침지되는 전해액;을 포함하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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청구항 1에 있어서,상기 복수개의 광흡수층은, 상기 혼합광이 유입되는 방향으로 x가 0으로부터 커지는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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청구항 2에 있어서,상기 복수개의 광흡수층은, In 조성비의 변화에 의해 상기 혼합광을 구성하는 다양한 파장의 빛이 가지는 에너지와 실질적으로 동일한 밴드갭 에너지를 가지도록 구비되는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은, 상기 혼합광이 유입되는 면에 Al(y)Ga(1-y)N으로 구비되는 광흡수층이 더 적층 구비되며, y는 상기 혼합광이 유입되는 방향으로 점차 작아져 0으로 수렴하는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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청구항 1에 있어서,상기 전해액은, NaOH 수용액으로 구비되는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은, 표면이 NiO로 촉매처리되는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은, 상기 혼합광이 조사되는 면의 면방향이 c면인 것을 특징으로 하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은 전도성물질로 구비되는 와이어와 In에 의해 오믹컨텍 되는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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청구항 1에 있어서,상기 광전극은, Si으로 도핑되어 n형 반도체로 구비되는 것을 특징으로 하는 파장 선택형 광전기화학적 수소 생산 시스템
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