| 1 |
1
기판상에 반도체구조물을 형성하는 단계와, 상기 반도체구조물 내부의 반도체층 일부를 외부로 노출시키도록 상기 반도체구조물의 일부를 식각하는 단계를 포함하여 마이크로 LED를 제조하는 마이크로 LED 제조단계와; 상기 기판상의 마이크로 LED들 중 1차로 선택된 마이크로 LED만을 포토레지스트와 노광장치 및 에칭 용액을 이용하여 상기 기판으로부터 일정 부분 분리시키는 예비분리단계와;온도조건에 따라 점착력이 발생하거나 약화 또는 소멸되는 온도가변형 점착시트에 상기 기판상의 마이크로 LED들을 점착 및 고정시킨 후, 1차로 선택된 마이크로 LED만을 상기 기판으로부터 완전 분리시키는 완전분리단계와;상기 기판으로부터 상기 온도가변형 점착시트로 이동된 마이크로 LED를 타겟디바이스에 전사시키는 전사단계;를 포함하며,상기 전사단계 이후에는 상기 완전분리단계 후 상기 기판상에 남아 있는 마이크로 LED들 중 2차 및 3차로 선택되는 마이크로 LED를 각각 상기 기판으로부터 순차적으로 분리 및 상기 타겟디바이스에 순차적으로 전사시킬 수 있도록 상기 예비분리단계와, 상기 완전분리단계와, 상기 전사단계를 반복하는 반복단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 및 선택 전사방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 예비분리단계는 상기 기판상의 모든 마이크로 LED를 감싸도록 상기 기판 및 상기 마이크로 LED에 포토레지스트를 도포하는 도포단계와, 마이크로 LED들 중에서 1차로 선택된 마이크로 LED를 감싸는 포토레지스트의 특정 영역을 제외한 나머지 영역만 선택적으로 노광시키는 노광단계와, 마이크로 LED들 중에서 1차로 선택된 마이크로 LED를 감싸는 포토레지스트의 특정 영역을 제거하는 제1제거단계와, 에칭용액을 이용하여 마이크로 LED들 중에서 1차로 선택된 마이크로 LED를 상기 기판으로부터 일정 부분 분리시키는 에칭단계와, 마이크로 LED들 중에서 1차로 선택된 마이크로 LED 이외의 나머지 마이크로 LED를 감싸는 포토레지스트의 나머지 영역을 제거하는 제2제거단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 및 선택 전사방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 마이크로 LED 제조단계 또는 상기 예비분리단계의 상기 에칭단계와 상기 제2제거단계 사이에는 상기 반도체구조물의 상부에 p형 전극 및 n형 전극을 포함하는 전극부를 형성하는 전극부형성단계와, 상기 반도체구조물의 상부를 보호하도록 상기 전극부를 제외한 상기 반도체구조물의 상부를 보호막으로 감싸는 보호막형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 및 선택 전사방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 온도가변형 점착시트는 온도조건에 따라 접착력이 발생하거나, 약화 또는 소멸되는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 및 선택 전사방법
|
| 5 |
5
기판상에 반도체구조물을 형성하는 단계와, 상기 반도체구조물 내부의 반도체층 일부가 외부로 노출되도록 상기 반도체구조물의 일부를 식각하는 단계와, 상기 반도체구조물의 상부에 전극부를 형성하는 전극부형성단계와, 상기 반도체구조물의 상부를 보호하도록 상기 전극부를 제외한 상기 반도체구조물의 상부를 보호막으로 감싸는 단계를 포함하여 마이크로 LED를 제조하는 마이크로 LED 제조단계와;상기 기판상의 모든 마이크로 LED를 에칭 용액을 이용하여 상기 기판으로부터 일정 부분 분리시키는 예비분리단계와;온도조건에 따라 점착력이 발생하거나 약화 또는 소멸되는 온도가변형 점착시트 및 특정 패턴으로 형성되고 PET로 이루어진 마스크를 이용하여 상기 기판상의 마이크로 LED들 중에서 1차로 선택된 마이크로 LED만을 상기 온도가변형 점착시트에 점착 및 고정시킨 후에 1차로 선택된 마이크로 LED만을 상기 기판으로부터 완전 분리시키는 완전분리단계와;상기 기판으로부터 상기 온도가변형 점착시트로 이동된 마이크로 LED를 타겟디바이스에 전사시키는 전사단계;를 포함하며,상기 전사단계 이후에는 상기 완전분리단계 후 상기 기판상에 남아 있는 마이크로 LED들 중 2차 및 3차로 선택되는 마이크로 LED를 각각 상기 기판으로부터 순차적으로 분리 및 상기 타겟디바이스에 순차적으로 전사시킬 수 있도록 상기 완전분리단계와, 상기 전사단계를 반복하는 반복단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 및 선택 전사방법
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 완전분리단계는 제1온도가변형 점착시트상에 PET 박막층을 형성하는 박막형성단계와, 상기 PET 박막층을 1차로 선택되는 마이크로 LED의 위치에 대응되는 특정 패턴으로 레이저 가공하여 PET 마스크를 형성하는 마스크형성단계와,제2온도가변형 점착시트로 상기 마스크를 이송시키는 마스크이송단계와,상기 예비분리단계를 통해 상기 기판으로부터 일정 부분 분리된 마이크로 LED를 상기 마스크를 제외한 상기 제2온도가변형 점착시트 상에 점착 및 고정시키도록 상기 제2온도가변형 점착시트와 상기 기판을 서로 밀착시킨 뒤 상기 기판으로부터 마이크로 LED를 완전 분리시키는 분리단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 LED 제조 및 선택 전사방법
|
