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기판;상기 기판 상부에 형성된 하부 전극;상기 하부 전극 상부에 형성되는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상부에 형성된 상부 전극;을 포함하는 비휘발성 저항 변화 메모리 소자로서,상기 저항변화층은 제1 무기물 금속 분자, 제2 무기물 금속 분자 및 할라이드 분자가 결합되어 AB2X7 구조를 가지는 페로브스카이트 구조를 형성하고,상기 A는 은(Ag)이며,상기 B는 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 게르마늄(Ge), 카드늄(Cd), 하프늄(Hf), 주석(Sn) 또는 비스무트(Bi)이며,상기 X는 플루오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I), 황(S) 또는 셀레늄(Se)인 것을 특징으로 하는 무기-무기 할라이드 페로브스카이트 물질을 이용한 비휘발성 저항 변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 저항변화층은 AgBi2I7을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 금속 포일, 유리 및 고분자 필름으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기-무기 할라이드 페로브스카이트 물질을 이용한 비휘발성 저항 변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 하부 전극은, 백금(Pt), 금(Au), 이리듐(Ir), 텅스텐(W), ITO(Indium tin oxide) 및 그래핀(Graphene)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기-무기 할라이드 페로브스카이트 물질을 이용한 비휘발성 저항 변화 메모리
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제1항에 있어서, 상기 상부 전극은, 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 무기-무기 할라이드 페로브스카이트 물질을 이용한 비휘발성 저항 변화 메모리
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제 1항에 내지 제 3항 중 어느 한 항에 따른 저항 변화 메모리의 제조방법으로, 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 저항변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 저항변화층은 제1 무기물 금속 분자, 제2 무기물 금속 분자 및 할라이드 분자가 결합되어 AB2X7 구조를 가지는 페로브스카이트 구조를 형성하고,상기 A는 은(Ag)이며,상기 B는 크롬(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 인듐(In), 티타늄(Ti), 게르마늄(Ge), 카드늄(Cd), 하프늄(Hf), 주석(Sn) 또는 비스무트(Bi)이며,상기 X는 플루오르(F), 염소(Cl), 브롬(Br), 요오드(I), 황(S) 또는 셀레늄(Se)인 것을 특징으로 하는 무기-무기 할라이드 페로브스카이트 물질을 이용한 비휘발성 저항 변화 메모리 제조방법
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