| 1 |
1
산화 그래핀 용액과 WO3 용액을 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계;상기 혼합 용액을 수열처리하여 텅스텐 도핑된 산화 그래핀을 형성하는 단계;상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀을 800℃ 내지 1200℃의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 WO3 용액은 용매에 용해된 나노 입자 형태의 WO3를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀의 제조 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제조된 텅스텐 도핑된 산화 그래핀을 성형하는 단계를 더 포함하고,상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀은 두께가 100㎚ 내지 200㎚인 필름 형태로 성형되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 산화 그래핀 용액은, 흑연 분말 및 KMnO4를 1:6의 중량% 비율로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 혼합 용액을 수열처리하는 단계는, 150℃ 내지 200℃의 온도에서 2시간 내지 4시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,산화 그래핀 용액과 WO3 용액을 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계에서 상기 혼합은 초음파 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀의 제조 방법
|
| 7 |
7
텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름으로서,상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름은, 산소 함량이 20at% 이하이고,상기 텅스텐/탄소의 비율은 0
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름은 20℃ 내지 100℃의 온도에서 열전도도가 150W/mK 이상인 것을 특징으로 하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름은 영 모듈러스가 100GPa 내지 400GPa인 것을 특징으로 하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름
|
| 10 |
10
제7항에서,상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름의 전기 전도도는 6 * 106 S/m 이상인 것을 특징으로 하는 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름
|
| 11 |
11
제7항에서,상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름의 두께는 100㎚ 내지 200㎚인 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름
|
| 12 |
12
제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 따른 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름을 포함하는 전자 방출기
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 텅스텐 도핑된 산화 그래핀 필름은 평면 또는 원형으로 위치하는 전자 방출기
|
